[發(fā)明專利]一種基于FPGA的集成式3D內(nèi)存模塊高溫老煉測試系統(tǒng)和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310342742.1 | 申請日: | 2023-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN116312727A | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊西峰;唐金鋒;潘昊;張利坤;李皓玥 | 申請(專利權)人: | 西安微電子技術研究所 |
| 主分類號: | G11C29/50 | 分類號: | G11C29/50;G11C29/56 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 錢宇婧 |
| 地址: | 710000 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 fpga 集成 內(nèi)存 模塊 高溫 測試 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種基于FPGA的集成式3D內(nèi)存模塊高溫老煉測試系統(tǒng),其特征在于,包括高溫箱、控制板和DDR2存儲器工位板;
所述高溫箱內(nèi)部分為老煉常溫區(qū)和高溫區(qū);
所述控制板設置在老煉常溫區(qū)內(nèi),所述DDR2存儲器工位板設置在高溫箱高溫區(qū)內(nèi);
所述控制板和DDR2存儲器工位板之間通過信號傳輸板進行數(shù)據(jù)連接;所述控制板控制DDR2存儲器工位板進行DDR2存儲器的高溫老煉測試。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種基于FPGA的集成式3D內(nèi)存模塊高溫老煉測試系統(tǒng),其特征在于,所述控制板包括FPGA、電源供電轉(zhuǎn)換模塊、通訊接口電路模塊、復位電路和測試狀態(tài)指示電路;
所述FPGA用于進行DDR2存儲器工位板的控制測試;所述電源供電轉(zhuǎn)換模塊用于對控制板和DDR2存儲器工位板提供電源;所述通訊接口電路模塊用于與外部進行數(shù)據(jù)通訊;所述復位電路用于提供復位功能;所述測試狀態(tài)指示電路用于內(nèi)存模塊的測試情況進行點燈可視化觀測。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種基于FPGA的集成式3D內(nèi)存模塊高溫老煉測試系統(tǒng),其特征在于,所述FPGA包括DDR2_CTRL模塊和USER_TOP模塊;
所述DDR2_CTRL模塊用于進行對DDR2芯片的上電初始化、預充電、刷新操作;所述USER_TOP模塊用于完成用戶接口的交互。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種基于FPGA的集成式3D內(nèi)存模塊高溫老煉測試系統(tǒng),其特征在于,所述控制板連接顯示裝置,顯示裝置用于顯示高溫老煉測試數(shù)據(jù)。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種基于FPGA的集成式3D內(nèi)存模塊高溫老煉測試系統(tǒng),其特征在于,所述DDR2存儲器工位板包括被測DDR2模塊插座和信號連接接插件;所述被測DDR2模塊插座連接DDR2存儲器;所述信號連接接插件連接信號傳輸板。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種基于FPGA的集成式3D內(nèi)存模塊高溫老煉測試系統(tǒng),其特征在于,所述高溫區(qū)的溫度為125℃。
7.根據(jù)權利要求1所述的一種基于FPGA的集成式3D內(nèi)存模塊高溫老煉測試系統(tǒng),其特征在于,所述DDR2存儲器工位板上設置有48個模塊工位。
8.一種基于FPGA的集成式3D內(nèi)存模塊高溫老煉測試方法,其特征在于,包括以下過程,
將控制板放置在老煉常溫區(qū)內(nèi),將DDR2存儲器工位板放置在高溫箱高溫區(qū)內(nèi);將控制板和DDR2存儲器工位板之間通過信號傳輸板進行數(shù)據(jù)連接;
控制板控制DDR2存儲器工位板對DDR2存儲器模塊的初始化,復位,全地址固定值和變化值的基本讀寫、與上位機串口通訊邏輯、復位邏輯功能的高溫老煉測試。
9.根據(jù)權利要求8所述的一種基于FPGA的集成式3D內(nèi)存模塊高溫老煉測試方法,其特征在于,所述控制板中FPGA的IO管腳驅(qū)動DDR2存儲器的控制時序。
10.根據(jù)權利要求8所述的一種基于FPGA的集成式3D內(nèi)存模塊高溫老煉測試方法,其特征在于,所述DDR2存儲器工位板中的DDR2存儲器在高溫區(qū)125℃下進行老煉測試。
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