[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310335314.6
• 申請(qǐng)日: 2023-03-28
• 公開（公告）號(hào): CN116435312A
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余超;陳芳;李飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖北長(zhǎng)江新型顯示產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 虞凌霄

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：襯底以及位于所述襯底上的驅(qū)動(dòng)電路層；所述驅(qū)動(dòng)電路層包括像素電路；

所述像素電路包括第一類型薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容；所述第一類型薄膜晶體管包括氧化物有源層、第一柵極和第二柵極，所述存儲(chǔ)電容包括第一極板和第二極板，所述第一極板與所述第一柵極位于同一金屬層，所述第二極板與所述第一類型薄膜晶體管的目標(biāo)膜層位于同一金屬層，所述目標(biāo)膜層為所述氧化物有源層和所述第二柵極中的一個(gè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述目標(biāo)膜層為所述第二柵極，所述驅(qū)動(dòng)電路層包括依次遠(yuǎn)離所述襯底的第一金屬層和第二金屬層；其中，

所述氧化物有源層位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間；

所述第一柵極和所述第一極板位于所述第一金屬層；

所述第二極板與所述第二柵極位于所述第二金屬層；

所述第一金屬層在所述襯底上的正投影與所述第二金屬層在所述襯底上的正投影部分重疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述目標(biāo)膜層為所述氧化物有源層，其中，所述驅(qū)動(dòng)電路層包括依次遠(yuǎn)離所述襯底的第一金屬層、半導(dǎo)體層和第二金屬層；

所述第一柵極和所述第一極板位于所述第一金屬層；

所述第二極板與氧化物有源層位于所述半導(dǎo)體層；

所述第二柵極位于所述第二金屬層；

所述第一金屬層在所述襯底上的正投影與所述半導(dǎo)體層在所述襯底上的正投影部分重疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路層還包括第三金屬層；其中，

第一方向延伸的第一初始化信號(hào)線和第二初始化信號(hào)線分別位于所述第三金屬層，所述第一初始化信號(hào)線用于傳輸?shù)谝怀跏蓟盘?hào)，所述第二初始化信號(hào)線用于傳輸?shù)诙跏蓟盘?hào)，所述第一初始化信號(hào)用于對(duì)所述像素電路的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極進(jìn)行初始化，所述第二初始化信號(hào)用于對(duì)發(fā)光器件的陽極進(jìn)行初始化。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路層還包括第四金屬層，其中，

沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)信號(hào)線位于所述第四金屬層，所述數(shù)據(jù)信號(hào)線用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)，所述第一方向與所述第二方向相交。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，沿所述第二方向延伸的第三初始化信號(hào)線和第四初始化信號(hào)線分別位于所述第四金屬層，所述第三初始化信號(hào)線用于傳輸所述第一初始化信號(hào)，所述第四初始化信號(hào)線用于傳輸所述第二初始化信號(hào)。

7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路層還包括第三金屬層和第四金屬層；其中，

沿第一方向延伸的第一初始化信號(hào)線位于所述第二金屬層，沿所述第一方向延伸的第二初始化信號(hào)線和第二電源電壓信號(hào)線分別位于所述第三金屬層；

沿第二方向延伸的數(shù)據(jù)信號(hào)線、第三初始化信號(hào)線、第一電源電壓信號(hào)線和第三電源電壓信號(hào)線分別位于所述第四金屬層；

所述第二初始化信號(hào)線與所述第三初始化信號(hào)線連接，所述第二電源電壓信號(hào)線與所述第三電源電壓信號(hào)線連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)電路層還包括：

層間絕緣層，位于所述氧化物有源層和所述第一金屬層之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電路還包括：驅(qū)動(dòng)晶體管、閾值補(bǔ)償晶體管和第一初始化晶體管，其中，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極用于接收數(shù)據(jù)信號(hào)，所述閾值補(bǔ)償晶體管的第一極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接，所述閾值補(bǔ)償晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接，所述第一初始化晶體管的第一極用于接收第一初始化信號(hào)，所述第一初始化晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極連接；

所述閾值補(bǔ)償晶體管和所述第一初始化晶體管為所述第一類型薄膜晶體管。