[發(fā)明專利]一種隔離槽特定設(shè)置的背接觸電池及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310332245.3
• 申請(qǐng)日: 2023-03-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116093176B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林楷睿;張超華;謝志剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建金石能源有限公司;金陽(yáng)（泉州）新能源科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0747;H01L31/20
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 趙亞楠

1.一種隔離槽特定設(shè)置的背接觸電池，包括背面具有沿背面的X軸方向間隔設(shè)置的拋光區(qū)和制絨區(qū)的硅基底，在所述拋光區(qū)上設(shè)置的第一半導(dǎo)體層，以及在所述制絨區(qū)上設(shè)置的第二半導(dǎo)體層，其特征在于，所述背接觸電池還包括沿背面的Z軸方向向外依次設(shè)置的導(dǎo)電膜層、導(dǎo)電掩膜層，所述導(dǎo)電掩膜層和導(dǎo)電膜層形成的導(dǎo)電復(fù)合層上設(shè)有沿X軸方向間隔設(shè)置的隔離槽，所述隔離槽位于所述第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的Z軸方向接觸界面處的上方，且所述隔離槽在X軸方向上橫跨部分拋光區(qū)和部分制絨區(qū)，所述隔離槽在拋光區(qū)上的橫跨長(zhǎng)度Wa1與在制絨區(qū)上的橫跨長(zhǎng)度Wa2的比值為1：0.1-4，所述隔離槽在X軸方向上的長(zhǎng)度Wa為50-300μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸電池，其特征在于，所述隔離槽在拋光區(qū)上的橫跨長(zhǎng)度Wa1與在制絨區(qū)上的橫跨長(zhǎng)度Wa2的比值為1：0.1-1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸電池，其特征在于，所述導(dǎo)電復(fù)合層的方阻不大于50Ω/□，和/或，所述導(dǎo)電膜層與導(dǎo)電掩膜層的厚度比為1：10-100。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸電池，其特征在于，所述導(dǎo)電膜層包括摻錫氧化銦、金屬銅、金屬鋁、金屬銀、鎳銅合金中的至少一種，和/或，所述導(dǎo)電膜層的方阻不大于0.7Ω/□。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背接觸電池，其特征在于，所述導(dǎo)電膜層包括沿Z軸方向向外依次設(shè)置的摻錫氧化銦層、金屬銅層、鎳銅合金層形成的復(fù)合膜層，所述摻錫氧化銦層的厚度為50-100nm，所述金屬銅層的厚度為200-400nm，所述鎳銅合金層的厚度為50-100nm；

或，所述導(dǎo)電膜層包括沿Z軸方向向外依次設(shè)置的摻錫氧化銦層、金屬鋁層的復(fù)合膜層，所述摻錫氧化銦層的厚度為50-100nm，所述金屬鋁層的厚度為300-600nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸電池，其特征在于，所述導(dǎo)電掩膜層包括導(dǎo)電墨水中的至少一種材料形成的層，和/或，所述導(dǎo)電掩膜層的方阻不大于50Ω/□。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸電池，其特征在于，在所述拋光區(qū)的Z軸方向上，所述第一半導(dǎo)體層的X軸方向兩側(cè)邊緣上方還設(shè)置有第二半導(dǎo)體層，上下分布的所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層直接接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的背接觸電池，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層包括隧穿氧化層和第一摻雜硅晶層，所述第二半導(dǎo)體層包括本征非晶硅層和第二摻雜硅晶層，其中，所述第一摻雜硅晶層和第二摻雜硅晶層中一個(gè)為N型，另外一個(gè)為P型，且所述第一摻雜硅晶層為摻雜多晶硅層，第二摻雜硅晶層為摻雜非晶硅或微晶硅層；所述制絨區(qū)形成第二開(kāi)口區(qū)以鋪設(shè)部分第二半導(dǎo)體層，在所述拋光區(qū)Z軸方向上，所述第一半導(dǎo)體層的上方還設(shè)置有中部開(kāi)設(shè)第一開(kāi)口區(qū)的第二半導(dǎo)體層，所述第一開(kāi)口區(qū)內(nèi)填充所述導(dǎo)電膜層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的背接觸電池，其特征在于，在X軸方向上，所述隔離槽在拋光區(qū)上的橫跨長(zhǎng)度與在制絨區(qū)上的橫跨長(zhǎng)度分別記為Wa1、Wa2，滿足：Wa1/Wg為5%-100%，Wa2/W2為1%-25%，其中，Wg為所述第一開(kāi)口區(qū)與第二開(kāi)口區(qū)之間的間隔，W2為第二開(kāi)口區(qū)的長(zhǎng)度；

和/或，在X軸方向上，所述第一開(kāi)口區(qū)的長(zhǎng)度W1為100-300μm，第二開(kāi)口區(qū)的長(zhǎng)度W2為300-700μm，所述第一開(kāi)口區(qū)與第二開(kāi)口區(qū)之間的間隔Wg為50-400μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的背接觸電池，其特征在于，所述隧穿氧化層為二氧化硅，厚度為0.5-3nm；所述第一摻雜硅晶層為磷摻雜或硼摻雜的多晶硅層，厚度為50-300nm，電阻率為1E-4?Ω.cm—1E-2?Ω.cm；所述本征非晶硅層厚度為5-15nm；所述第二摻雜硅晶層為磷摻雜或硼摻雜的非晶硅層或者磷摻雜或硼摻雜的微晶硅層，厚度為5-30nm，電阻率為1E-1Ω.cm—1E9?Ω.cm。