[發明專利]一種基于石墨烯的水伏光伏耦合的發電裝置及其制備方法在審
| 申請號: | 202310330766.5 | 申請日: | 2023-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN116646407A | 公開(公告)日: | 2023-08-25 |
| 發明(設計)人: | 徐長寶;辛明勇;王宇;祝健楊;何雨旻;高吉普;楊婧;汪明媚;馮起輝;古庭赟;李博文;文屹;呂黔蘇;劉斌;唐塞秋;孟令雯;張緣圓;張后誼;代奇跡;楊婷婷;魯彩江 | 申請(專利權)人: | 貴州電網有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/06;H01L31/053;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京禹為知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32272 | 代理人: | 劉峰 |
| 地址: | 550002 貴*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 石墨 水伏光伏 耦合 發電 裝置 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于石墨烯的水伏光伏耦合的發電裝置,其特征在于:包括如下部件:上電極、敏感層和下電極,所述敏感層包括石墨烯和硅基底。
2.根據權利要求1所述的基于石墨烯的水伏光伏耦合的發電裝置,其特征在于:所述硅基底為負載在納米孔道上的硅基底,所述納米孔道為納米顆粒制備得到。
3.根據權利要求2所述的基于石墨烯的水伏光伏耦合的發電裝置,其特征在于:所述納米顆粒的直徑范圍是50nm-400nm。
4.根據權利要求2所述的基于石墨烯的水伏光伏耦合的發電裝置,其特征在于:所述硅基底靠近納米孔道一側三分之一為氧化石墨烯。
5.根據權利要求4所述的基于石墨烯的水伏光伏耦合的發電裝置,其特征在于:所述下電極與氧化石墨烯一側相連接。
6.一種基于石墨烯的水伏光伏耦合的發電裝置的制備方法,其特征在于:
硅基層制備:將硅片進行清洗,然后吹干,吹干后使用靜電噴霧使得二氧化硅小球附著在硅片上;
制備石墨烯層:將硅基層使用化學氣相沉積生長在石墨烯上,冷卻后取出樣品,石墨烯的三分之二使用膜遮住后進行化學氧化,氧化完成后使用去離子水清洗至中性,制得不對稱石墨烯;
制備發電裝置:使用銀膠將上電級和下電極分別連接在功能層上下兩層,銀膠干燥后制得發電裝置。
7.根據權利要求6所述的基于石墨烯的水伏光伏耦合的發電裝置的制備方法,其特征在于:所述硅基層制備中,所述靜電噴霧的參數為:針頭23G,電壓15kV,針頭與收集板距離10cm,進給速度為4μL/min,收集時間為5min。
8.根據權利要求6所的基于石墨烯的水伏光伏耦合的發電裝置的制備方法,其特征在于:所述化學氣相沉積為在高溫環境下使用非氧化性氣氛進行加工。
9.根據權利要求8所述所的基于石墨烯的水伏光伏耦合的發電裝置的制備方法,其特征在于:所述非氧化性氣氛為氬氣、氫氣和甲烷構成的混合性氣體,所述高溫為1050℃。
10.根據權利要求6所的基于石墨烯的水伏光伏耦合的發電裝置的制備方法,其特征在于:所述制備石墨烯層中,所述化學氧化包括等離子體處理、雙氧水處理、激光處理中的一種或幾種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





