[發明專利]微晶硅薄膜沉積工藝的研究方法及其應用在審
| 申請號： | 202310330648.4 | 申請日： | 2023-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN116297401A | 公開（公告）日： | 2023-06-23 |
| 發明（設計）人： | 高磊;張衡;屈慶源;王青松;吳海紅 | 申請（專利權）人： | 蘇州邁為科技股份有限公司;蘇州邁正科技有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/65 | 分類號： | G01N21/65;H01L31/072;H01L31/0745;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 向薇 |
| 地址： | 215200 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微晶硅 薄膜 沉積 工藝 研究 方法 及其 應用 | ||
1.一種微晶硅薄膜沉積工藝的研究方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：準備多個襯底；
S2：在相同工藝條件下，在所述多個襯底上沉積一定厚度的本征氫化非晶硅膜層，形成測試基底；
S3：分別在不同工藝條件下，在多個所述測試基底沉積相同厚度的待研究微晶硅薄膜，形成多個測試樣品；
S4：將多個所述測試樣品作為拉曼基底進行拉曼光譜測試，得到不同工藝條件下對應的微晶硅薄膜晶化率數據，進而獲得晶化率較佳的微晶硅薄膜沉積工藝。
2.根據權利要求1所述的微晶硅薄膜沉積工藝的研究方法，其特征在于，所述本征氫化非晶硅膜的厚度為2nm～20nm。
3.根據權利要求1所述的微晶硅薄膜沉積工藝的研究方法，其特征在于，所述待研究微晶硅薄膜的厚度為5nm～100nm。
4.根據權利要求1所述的微晶硅薄膜沉積工藝的研究方法，其特征在于，所述襯底為玻璃襯底或拋光硅片襯底。
5.根據權利要求4所述的微晶硅薄膜沉積工藝的研究方法，其特征在于，所述襯底為玻璃襯底時，所述玻璃襯底的厚度為200μm～1000μm。
6.根據權利要求4所述的微晶硅薄膜沉積工藝的研究方法，其特征在于，所述襯底為拋光硅片襯底時，所述拋光硅片襯底的厚度為100μm～300μm。
7.根據權利要求2所述的微晶硅薄膜沉積工藝的研究方法，其特征在于，所述襯底為拋光硅片襯底時，在襯底上沉積本征氫化非晶硅膜層的厚度為8nm～20nm。
8.根據權利要求2所述的微晶硅薄膜沉積工藝的研究方法，其特征在于，所述襯底為玻璃襯底時，在襯底上沉積本征氫化非晶硅膜層的厚度為2nm～15nm。
9.根據權利要求1所述的微晶硅薄膜沉積工藝的研究方法，其特征在于，所述拉曼光譜測試中選用的波長為325nm。
10.權利要求1～9任一項所述的微晶硅薄膜沉積工藝的研究方法在異質結太陽能電池中的應用。
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