[發明專利]一種單晶硅表面倒金字塔濕法制絨方法在審
| 申請號： | 202310326805.4 | 申請日： | 2023-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN116356428A | 公開（公告）日： | 2023-06-30 |
| 發明（設計）人： | 霍晨亮 | 申請（專利權）人： | 北京師范大學珠海校區 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10;C30B29/06;H01L31/18;H01L31/0236;C09K13/08 |
| 代理公司： | 北京沃知思真知識產權代理有限公司 11942 | 代理人： | 袁辰亮 |
| 地址： | 519087 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單晶硅 表面 金字塔 濕法 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種單晶硅表面倒金字塔濕法制絨方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、將表面清潔的晶體硅片放入含有混合處理制劑的容器中，在80℃下反應120-140分鐘即可在硅片表面腐蝕出大面積微納米倒金字塔絨面；
S2、將腐蝕后的晶體硅片放入去離子水溶液里面浸泡去掉表面殘存的氫氟酸；
所述混合處理制劑為焦亞硫酸鉀和氫氟酸混合溶液或焦亞硫酸鈉和氫氟酸混合溶液。
2.根據權利要求1所述的一種單晶硅表面倒金字塔濕法制絨方法，其特征在于，所述S1中的晶體硅片為單晶硅片或類單晶硅片。
3.根據權利要求1所述的一種單晶硅表面倒金字塔濕法制絨方法，其特征在于，所述焦亞硫酸鉀濃度為0.1-1mol/L，氫氟酸濃度為10-20mol/L。
4.根據權利要求1所述的一種單晶硅表面倒金字塔濕法制絨方法，其特征在于，所述焦亞硫酸鈉濃度為0.1-1mol/L，氫氟酸濃度為10-20mol/L。
5.一種晶硅太陽能電池，包括晶硅基材，其特征在于，所述晶硅基材具有權利要求1-4任一所述方法制備的大面積微納倒金字塔絨面。
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