[發明專利]一種屏蔽柵溝槽MOSFET

在審

• 申請號: 202310322007.4
• 申請日: 2023-03-29
• 公開（公告）號: CN116093163A
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 王卓;胡鯤;喬明;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學;電子科技大學廣東電子信息工程研究院
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡

1.一種屏蔽柵溝槽MOSFET，其特征在于包括：N型重摻雜襯底(1)、位于N型重摻雜襯底(1)上的漂移層(2)、漂移層(2)上部的P型擴散區(3)、位于P型擴散區(3)頂部的N型重摻雜擴散區(4)；位于N型重摻雜擴散區(4)上部的金屬電極隔離氧(11)，貫穿金屬電極隔離氧(11)與N型重摻雜擴散區(4)與P型擴散區(3)的楔形金屬電極(12)、位于N型重摻雜擴散區(4)與P型擴散區(3)之間的P型重摻雜區(13)、位于器件頂部與楔形金屬電極(12)接觸的源極電極(14)、位于器件底部與N型重摻雜襯底(1)接觸的漏極電極(15)；

任取兩相鄰臺面連線為剖面線AA’，沿AA’截面方向，在漂移層(2)內部設有深槽(5)，深槽(5)的底部靠近漂移層(2)與N型重摻雜襯底(1)的交界處，深槽(5)內底部及側壁設有隔離場氧(7)，隔離場氧(7)內部為屏蔽柵多晶硅(8)，深槽(5)上部屏蔽柵多晶硅(8)的兩側上方為控制柵多晶硅(10)，控制柵多晶硅(10)兩側的側壁為柵氧化層(9)；

BB’截面與AA’截面之間的夾角為α，α取0度到180度之間任意值，沿BB’的截面方向，在漂移層(2)內部設有淺槽(6)，淺槽(6)的深度深于P型擴散區(3)與漂移層(2)交界處，淺槽(6)內設有控制柵多晶硅(10)，控制柵多晶硅(10)兩側的淺槽側壁設有柵氧化層(9)。

2.根據權利要求1所述的一種屏蔽柵溝槽MOSFET，其特征在于：BB’截面與AA’截面垂直。

3.根據權利要求1所述的一種屏蔽柵溝槽MOSFET，其特征在于：淺槽(6)在BB’截面的寬度小于深槽(5)在AA’截面的寬度，淺槽(6)數量大于深槽(5)的數量。

4.根據權利要求1所述的一種屏蔽柵溝槽MOSFET，其特征在于：淺槽(6)內的控制柵多晶硅(10)在BB’截面的寬度與深槽(5)內的控制柵多晶硅(10)在AA’截面的寬度相同。

5.根據權利要求1所述的一種屏蔽柵溝槽MOSFET，其特征在于：在深槽(5)之間沿垂直AA’截面方向增加多個淺槽(6)。

6.根據權利要求1所述的一種屏蔽柵溝槽MOSFET，其特征在于：在相鄰深槽之間設立三種不同角度的淺槽，與深槽分別成60度、90度、120度夾角，淺槽相互拼接形成六邊形網格結構。

7.根據權利要求1至6任意一項所述的一種屏蔽柵溝槽MOSFET，其特征在于：所述器件結構中各摻雜類型相應變為相反的摻雜，即P型摻雜變為N型摻雜的同時，N型摻雜變為P型摻雜。