[發(fā)明專利]一種堿金屬硫氰酸鹽修飾電子傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310319004.5
• 申請(qǐng)日: 2023-03-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116193876A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王興濤;趙志國(guó);藺子甄;秦校軍;趙東明;張遲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華能新能源股份有限公司;中國(guó)華能集團(tuán)清潔能源技術(shù)研究院有限公司
• 主分類號(hào): H10K30/80
• 分類號(hào): H10K30/80;H10K71/00;H10K85/50;H10K30/30
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 夏菁

1.一種堿金屬硫氰酸鹽修飾電子傳輸層的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，包括依次層疊設(shè)置的導(dǎo)電基底、電子傳輸層、堿金屬硫氰酸鹽修飾層、鈣鈦礦吸光層、空穴傳輸層和電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述堿金屬硫氰酸鹽選自硫氰酸鈉、硫氰酸鉀和硫氰酸銫中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述堿金屬硫氰酸鹽修飾層的厚度為3～10nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述鈣鈦礦吸光層為鹵化物鈣鈦礦，晶體結(jié)構(gòu)為ABX₃，所述A選自有機(jī)陽(yáng)離子或無(wú)機(jī)陽(yáng)離子，所述B選自二價(jià)金屬離子；所述X為鹵素離子。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述A選自甲脒離子、甲胺離子或銫離子；

所述B選自鉛離子或錫離子；

所述鹵素離子選自碘離子、溴離子或氯離子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述電極為金屬電極、碳電極或石墨電極；

所述電極的厚度為50～150nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述鈣鈦礦吸光層的厚度為200～500nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述空穴傳輸層為Spiro-OMeTAD或PTAA；

所述空穴傳輸層的厚度為100～300nm。

9.一種權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備方法，包括以下步驟：

在導(dǎo)電基底上形成電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上形成堿金屬硫氰酸鹽修飾層；

在所述堿金屬硫氰酸鹽修飾層上制備鈣鈦礦吸光層；

在所述鈣鈦礦吸光層上形成空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層上制備電極，得到鈣鈦礦太陽(yáng)能電池。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述在所述電子傳輸層上形成堿金屬硫氰酸鹽修飾層具體包括：

將堿金屬硫氰酸鹽溶液涂覆至電子傳輸層上，熱處理；

所述堿金屬硫氰酸鹽溶液的濃度為0.5～10mg/mL；

所述熱處理的溫度為80～150℃，熱處理的時(shí)間為5～30min。