[發(fā)明專(zhuān)利]一種分段式流場(chǎng)控制的非接觸晶圓邊緣清洗裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310315566.2 | 申請(qǐng)日: | 2023-03-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN116581076A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 唐寶國(guó);張靜;陳新來(lái);周乾;鄧信甫;盧證凱 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 江蘇啟微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司;至微半導(dǎo)體(上海)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/683 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/683;B08B3/02;B08B13/00;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 吳軼淳 |
| 地址: | 226200 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 段式 控制 接觸 邊緣 清洗 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種分段式流場(chǎng)控制的非接觸晶圓邊緣清洗裝置,晶圓承載平臺(tái)的邊緣圓周上布設(shè)多個(gè)空氣動(dòng)力組件,使晶圓處于懸浮狀態(tài),具有導(dǎo)流槽,噴流和固定槽,噴流管組件固定在固定槽,導(dǎo)流槽環(huán)繞固定槽,下壓導(dǎo)流蓋與導(dǎo)流槽、噴流管組件之間的間隙形成第一氣流通道,從噴流管組件噴出的氣流沿第一氣流通道向晶圓的邊緣部分噴出,導(dǎo)流槽的底部設(shè)置多個(gè)氣流孔,從氣流孔噴出的氣流對(duì)從噴流管組件噴出的氣流補(bǔ)強(qiáng)。非接觸夾持晶圓不易損壞晶圓,有利于維持晶圓性能和品質(zhì),氣流增強(qiáng)后防止清洗臟污進(jìn)入晶圓的下表面,并改善晶圓邊緣和承載平臺(tái)邊緣的顆粒等臟污,增強(qiáng)氣流還輔助空氣動(dòng)力組件維持晶圓非接觸狀態(tài)的穩(wěn)定化。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶圓清洗技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種分段式流場(chǎng)控制的非接觸晶圓邊緣清洗裝置。
背景技術(shù)
濕法工藝屬于半導(dǎo)體晶圓的表面處理工藝,在濕法工藝中,對(duì)晶圓側(cè)邊的清洗和蝕刻是一種特殊的處理工藝,目的在于對(duì)晶圓側(cè)邊的表面形態(tài)和表征進(jìn)行修改和調(diào)整。晶圓側(cè)邊清洗用的設(shè)備可視為一種特殊形態(tài)的專(zhuān)用清洗設(shè)備,其主要核心要點(diǎn)在于噴淋清洗過(guò)程需要控制旋轉(zhuǎn)噴淋過(guò)程,僅只能將化學(xué)品接觸于晶圓側(cè)邊位置,其對(duì)于整體自旋轉(zhuǎn)的晶圓承載平臺(tái)為一非常重大的開(kāi)發(fā)性挑戰(zhàn)。單獨(dú)進(jìn)行側(cè)邊清洗設(shè)備的開(kāi)發(fā)會(huì)導(dǎo)致成本增加,不利于經(jīng)濟(jì)效益。
在晶圓清洗過(guò)程中,需要對(duì)晶圓進(jìn)行夾持,接觸性?shī)A持晶圓使得晶圓接觸各種零部件,或因?yàn)榻佑|過(guò)程非預(yù)期的現(xiàn)象發(fā)生,導(dǎo)致晶圓有部份相位落差、水平度不協(xié)調(diào)、偏轉(zhuǎn)、錯(cuò)位等問(wèn)題產(chǎn)生,晶圓旋轉(zhuǎn)過(guò)程其轉(zhuǎn)速對(duì)應(yīng)低轉(zhuǎn)、中轉(zhuǎn)、高轉(zhuǎn)速等配置,一旦產(chǎn)生相應(yīng)問(wèn)題,則會(huì)發(fā)生晶圓偏心轉(zhuǎn)動(dòng)導(dǎo)致甩離的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
基于上述問(wèn)題,本發(fā)明提供一種分段式流場(chǎng)控制的非接觸晶圓邊緣清洗裝置,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中清洗過(guò)程對(duì)晶圓品質(zhì)造成損壞等技術(shù)問(wèn)題。
一種分段式流場(chǎng)控制的非接觸晶圓邊緣清洗裝置,包括晶圓承載平臺(tái)、下壓導(dǎo)流蓋和噴流管組件;
晶圓承載平臺(tái)的邊緣圓周上布設(shè)多個(gè)空氣動(dòng)力組件;
晶圓承載平臺(tái)包括:
固定槽,固定槽用于固定噴流管組件;
導(dǎo)流槽,環(huán)繞固定槽;
空氣動(dòng)力組件的上端出氣口以第一預(yù)定方向噴出氣流使晶圓處于懸浮狀態(tài);
下壓導(dǎo)流蓋與導(dǎo)流槽、噴流管組件之間的間隙形成第一氣流通道;
從噴流管組件噴出的氣流沿第一氣流通道向晶圓的邊緣部分噴出;
導(dǎo)流槽的底部設(shè)置多個(gè)氣流孔,從氣流孔噴出的氣流對(duì)從噴流管組件噴出的氣流補(bǔ)強(qiáng)。
進(jìn)一步的,氣流孔包括多個(gè)第一氣流孔,第一氣流孔在第一半徑的圓周上均勻布置。
進(jìn)一步的,氣流孔還包括多個(gè)第二氣流孔,第二氣流孔在第二半徑的圓周上均勻布置;
其中,第二半徑大于第一半徑。
進(jìn)一步的,氣流孔還包括多個(gè)第三氣流孔,第三氣流孔在第三半徑的圓周上均勻布置;
其中,第三半徑大于第二半徑。
進(jìn)一步的,空氣動(dòng)力組件與晶圓承載平臺(tái)的中心形成目標(biāo)徑向,第一氣流孔、第二氣流孔分別和空氣動(dòng)力組件一一對(duì)應(yīng),與空氣動(dòng)力組件相對(duì)應(yīng)的第一氣流孔和第二氣流孔在目標(biāo)徑向上。
進(jìn)一步的,空氣動(dòng)力組件與晶圓承載平臺(tái)的中心形成目標(biāo)徑向;
每?jī)蓚€(gè)第三氣流孔對(duì)應(yīng)一個(gè)空氣動(dòng)力組件,且與空氣動(dòng)力組件對(duì)應(yīng)的兩個(gè)第三氣流孔分設(shè)在目標(biāo)徑向的兩側(cè)。
進(jìn)一步的,導(dǎo)流槽的底部設(shè)置多個(gè)扇形阻擋塊,兩扇形阻擋塊之間的間隙設(shè)置第二氣流孔。
進(jìn)一步的,導(dǎo)流槽的底部設(shè)有多個(gè)第一扇形槽,環(huán)繞噴流管組件分布;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





