[發明專利]三維扇出封裝結構及其制造方法在審
| 申請號： | 202310309927.2 | 申請日： | 2023-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN116581092A | 公開（公告）日： | 2023-08-11 |
| 發明（設計）人： | 馬書英;趙艷嬌;付東之 | 申請（專利權）人： | 華天科技（昆山）電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/485;H01L21/56;H01L23/48 |
| 代理公司： | 蘇州國誠專利代理有限公司 32293 | 代理人： | 馬振華 |
| 地址： | 215300 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 三維 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
1.三維扇出封裝結構，其特征在于，包括：
芯片，所述芯片上制作有焊盤；
銅箔，所述芯片通過膠膜與銅箔粘連；
塑封體，所述塑封體將芯片及膠膜封裝在內部，且塑封體上還制造有銅柱；
第一RDL線路層，所述第一RDL線路層制作在塑封體的其中一面上，并在第一RDL線路層上制作植球；
第二RDL線路層，所述第二RDL線路層制作在塑封體的另一面上，并在第二RDL線路層上制作植球，所述銅箔作為第二RDL線路層的線路。
2.根據權利要求1所述的三維扇出封裝結構，其特征在于，所述第二RDL線路層有一層以上。
3.三維扇出封裝結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：采用膠膜將芯片粘接到銅箔上；
S2：采用塑封體對芯片和膠膜進行封裝；
S3：通過激光鉆孔的方式在塑封體上形成通孔，再通過電鍍的方式對通孔處進行金屬化填充形成導電銅柱；
S4：對塑封體進行減薄加工，使得芯片上的焊盤露出；
S5：在塑封體表面制作第一RDL線路層，并在第一RDL線路層上形成焊盤；
S6：以銅箔作為種子層材料，在塑封體的另一面制作第二RDL線路層，并在第二RDL線路層上形成焊盤，其中銅箔作為RDL線路層的線路；
S7：在第一RDL線路層、第二RDL線路層上的焊盤上均制作植球。
4.根據權利要求3所述的三維扇出封裝結構的制造方法，其特征在于，所述S1中膠膜采用DAF膜。
5.根據權利要求3所述的三維扇出封裝結構的制造方法，其特征在于，所述S6中第二RDL線路層有一層以上，銅箔作為最內層的線路。
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