[發明專利]二氧化硅光波導芯片性能的修正方法及裝置

在審

• 申請號: 202310309165.6
• 申請日: 2023-03-27
• 公開（公告）號: CN116299855A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 崔鵬偉;王玥;張家順;安俊明
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: G02B6/13
• 分類號: G02B6/13;G02B6/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周天宇

1.一種二氧化硅光波導芯片性能的修正方法，其特征在于，包括：

將圖形掩膜版固定在二氧化硅光波導芯片的上方，所述圖形掩膜版包括透光區域和非透光區域，所述透光區域和所述二氧化硅光波導芯片的光波導結構表面形狀相匹配；

在所述圖形掩膜版上方施加光照，使所述光照透過所述透光區域照射在所述光波導結構的表面；

通過調節所述光照的參數來改變所述光波導結構的折射率，對所述二氧化硅光波導芯片的性能進行修正。

2.根據權利要求1所述的二氧化硅光波導芯片性能的修正方法，其特征在于，所述方法還包括：

將所述二氧化硅光波導芯片放置在三維可移動平臺上；

調整所述三維可移動平臺的位置，使所述透光區域和所述光波導結構的表面對齊。

3.根據權利要求2所述的二氧化硅光波導芯片性能的修正方法，其特征在于，在所述將所述二氧化硅光波導芯片放置在三維可移動平臺上之前，還包括：

將所述二氧化硅光波導芯片放置在充滿氫氣的環境中載氫處理。

4.根據權利要求1所述的二氧化硅光波導芯片性能的修正方法，其特征在于，所述在所述圖形掩膜版上方施加光照包括：

利用激光器在所述圖形掩膜版上方施加光照；

所述激光器包括飛秒激光器、KrF準分子激光器、ArF準分子激光器、氬離子激光器、氬離子倍頻激光器或倍頻染料激光器。

5.根據權利要求4所述的二氧化硅光波導芯片性能的修正方法，其特征在于，所述利用激光器在所述圖形掩膜版上方施加光照包括：

利用飛秒激光器在所述圖形掩膜版上方施加光照，所述飛秒激光器的波長為800～820nm。

6.根據權利要求4所述的二氧化硅光波導芯片性能的修正方法，其特征在于，所述利用激光器在所述圖形掩膜版上方施加光照包括：

利用KrF準分子激光器在所述圖形掩膜版上方施加光照，所述KrF準分子激光器的波長為248nm。

7.根據權利要求1所述的二氧化硅光波導芯片性能的修正方法，其特征在于，所述通過調節所述光照的參數來改變所述光波導結構的折射率包括：

通過調節所述光照的脈沖能量密度參數、脈沖頻率參數和光照時間參數來改變所述光波導結構的折射率。

8.根據權利要求1所述的二氧化硅光波導芯片性能的修正方法，其特征在于，所述光波導結構包括：陣列波導光柵、90°光混頻器或光分路器的其中之一，或，陣列波導光柵、90°光混頻器、光分路器之中任意兩者的集成，或，陣列波導光柵、90°光混頻器、光分路器三者的集成。

9.根據權利要求1所述的二氧化硅光波導芯片性能的修正方法，其特征在于，所述光波導結構的材料包括摻雜鍺的二氧化硅。

10.一種二氧化硅光波導芯片性能的修正裝置，其特征在于，包括：

固定機構，用于將圖形掩膜版固定在二氧化硅光波導芯片的上方，所述圖形掩膜版包括透光區域和非透光區域，所述透光區域和所述二氧化硅光波導芯片的光波導結構表面形狀相匹配；

激光器，用于在所述圖形掩膜版上方施加光照，使所述光照透過所述透光區域照射在所述光波導結構的表面；

調節模塊，用于通過調節所述光照的參數來改變所述光波導結構的折射率，對所述二氧化硅光波導芯片的性能進行修正。