[發(fā)明專利]一種基于硒化鍺二維材料的場效應晶體管及其應用

在審

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• 申請日: 2023-03-27
• 公開（公告）號: CN116364779A
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發(fā)明（設計）人: 袁延忠;張亞君;郭彩霞;袁秋林;楊豪強;于坤;王芳
• 申請（專利權）人: 河南師范大學
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/24;H01L29/51;B82Y10/00;B82Y30/00
• 代理公司: 鄭州隆盛專利代理事務所(普通合伙) 41143
• 代理人: 趙媛媛

1.一種基于硒化鍺二維材料的場效應晶體管，其特征在于，包括從下至上依次堆疊的襯底，第一隔離層，硒化鍺溝道，第二隔離層，單柵極結構，以及與所述單柵極結構相鄰的源極/漏極。

2.根據(jù)權利要求1所述的基于硒化鍺二維材料的場效應晶體管，其特征在于，所述襯底是由二維蜂窩型的硅烯制備而成，且所述硅烯具有翹曲單層六元環(huán)結構。

3.根據(jù)權利要求1所述的基于硒化鍺二維材料的場效應晶體管，其特征在于，所述第一隔離層為氧化層或真空層；所述第二隔離層為氧化層或真空層。

4.根據(jù)權利要求3所述的基于硒化鍺二維材料的場效應晶體管，其特征在于，所述氧化層的厚度為10-70nm。

5.根據(jù)權利要求1所述的基于硒化鍺二維材料的場效應晶體管，其特征在于，所述硒化鍺溝道是由N型摻雜和P型摻雜硒化鍺制成。

6.根據(jù)權利要求1所述的基于硒化鍺二維材料的場效應晶體管，其特征在于，所述單柵極結構是由絕緣介質(zhì)層和柵電極堆疊而成。

7.根據(jù)權利要求6所述的基于硒化鍺二維材料的場效應晶體管，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)層的材質(zhì)為SiO₂、SiC、SiN、HfO₂、TiO₂中的任意一種。

8.根據(jù)權利要求6所述的基于硒化鍺二維材料的場效應晶體管，其特征在于，所述柵電極、源電極、漏電極采用的金屬為Au、Cu、Ni、Ti、Cr、Ag中的一種或者兩種。

9.根據(jù)權利要求1所述的基于硒化鍺二維材料的場效應晶體管，其特征在于，所述源極/漏極包含有硅鍺和硒化鍺，所述硒化鍺中的Ge濃度為23％～27％，所述硅鍺中的Si濃度為17％～24％。

10.根據(jù)權利要求1-9任意一項所述的基于硒化鍺二維材料的場效應晶體管在光電領域的應用。