[發明專利]碳化硅紫外光光電檢測器及其制造方法

在審

• 申請號: 202310305109.5
• 申請日: 2019-03-26
• 公開（公告）號: CN116207180A
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: A·桑坦格羅;M·C·馬茲羅;S·卡西諾;G·郎戈;A·休托
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;H01L31/0312;H01L31/18;H01L31/0352
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李興斌

1.一種器件，包括：

襯底；

在所述襯底上的碳化硅的第一層，所述第一層具有第一導電類型，所述第一層具有第一摻雜水平，所述第一層形成陰極區域；

在所述第一層上的碳化硅的第二層，所述第二層具有第二導電類型，所述第二層形成陽極區域；

掩埋區域，延伸到所述第一層中并且位于所述第一層與所述第二層之間，所述掩埋區域具有所述第一導電類型，所述掩埋區域具有高于所述第一摻雜水平的第二摻雜水平；

介電材料層，在所述第二層的一部分和所述第一層上；以及

邊緣環，延伸穿過所述第二層并且進入到所述第一層，所述第二層的第一部分通過所述邊緣環與所述第二層的第二部分隔開，所述介電材料層的一部分在所述邊緣環中，所述掩埋區域通過直接位于所述第二層下方的所述第一層的一部分與所述邊緣環隔開。

2.根據權利要求1所述的器件，還包括：

由所述第二層形成的突出部分；

由所述第一層和所述第二層形成的傾斜側部；以及

由所述第一層形成的邊緣部分，

所述介電材料層在所述突出部分、所述傾斜側部和所述邊緣環上。

3.根據權利要求1所述的器件，還包括：

在所述第二層上的導電層。

4.根據權利要求3所述的器件，其中所述介電材料層包括朝向所述第一層延伸的凹陷部，并且所述導電層的一部分形成在所述凹陷部中。

5.根據權利要求3所述的器件，還包括：

在所述掩埋區域上的緩沖層，所述第二層通過所述緩沖層與所述掩埋區域隔開，所述緩沖層具有所述第一導電類型。

6.根據權利要求5所述的器件，其中所述緩沖層具有高于所述第一摻雜水平且低于所述第二摻雜水平的第三摻雜水平。

7.根據權利要求1所述的器件，其中所述第二層和所述掩埋區域通過所述第一層的一部分彼此隔開。

8.一種方法，包括：

在襯底上形成碳化硅的第一層，所述第一層具有第一導電類型和第一摻雜水平；

在所述第一層中形成掩埋區域，所述掩埋區域具有所述第一導電類型和高于所述第一摻雜水平的第二摻雜水平；

在所述第一層上形成碳化硅的第二層，所述第二層具有第二導電類型，所述掩埋區域位于所述第一層與所述第二層之間；

在所述第二層上形成導電層，所述導電層通過所述第二層與所述掩埋區域隔開；以及

在所述第二層的一部分和所述第一層上形成介電材料層。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括：

形成穿過所述第二層并進入到所述第一層的邊緣環，所述第二層的第一部分通過所述邊緣環與所述第二層的第二部分隔開，所述介電材料層的一部分在所述邊緣環中。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述掩埋區域通過直接位于所述第二層下方的所述第一層的一部分與所述邊緣環隔開。

11.根據權利要求8所述的方法，其中所述第一層形成陰極區域，并且所述第二層形成陽極區域。

12.根據權利要求8所述的方法，還包括：

在所述介電材料層中形成凹陷部，所述凹陷部朝向所述第一層延伸，所述導電層的一部分在所述凹陷部中。

13.根據權利要求8所述的方法，還包括：

在所述掩埋區域上形成緩沖層，所述緩沖層具有所述第一導電類型，所述第二層通過所述緩沖層與所述掩埋區域隔開。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述緩沖層具有高于所述第一摻雜水平且低于所述第二摻雜水平的第三摻雜水平。