[發(fā)明專利]一種疊層太陽能電池、系統(tǒng)及制備工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310290247.0 | 申請日: | 2023-03-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN116190468A | 公開(公告)日: | 2023-05-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳藝綺;陳達(dá)明;王堯;夏銳;柳偉;胡勻勻;張學(xué)玲 | 申請(專利權(quán))人: | 天合光能股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18;H10K30/40;H10K30/50;H10K71/00;H10K39/15;H02S50/00 |
| 代理公司: | 北京正桓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11979 | 代理人: | 李寧寧 |
| 地址: | 213001 江蘇省常*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能電池 系統(tǒng) 制備 工藝 | ||
1.一種疊層太陽能電池,其特征在于,包括:
鈣鈦礦電池;
硅基電池;
中間層,位于所述鈣鈦礦電池與所述硅基電池之間,所述鈣鈦礦電池與所述硅基電池通過所述中間層電連接;
第一電極,電連接與所述鈣鈦礦電池背離所述硅基電池的表面;
第二電極,與所述第一電極極性相反,所述第二電極電連接于所述硅基電池背離所述鈣鈦礦電池表面上的第一區(qū)域,且所述第一電極與所述第二電極通過所述鈣鈦礦電池、中間層以及硅基電池構(gòu)成第一供電回路;
第三電極,與所述第二電極極性相反,所述第三電極電連接于所述硅基電池背離所述鈣鈦礦電池表面上的第二區(qū)域,且所述第二電極與所述第三電極通過所述硅基電池構(gòu)成第二供電回路;
其中,所述硅基電池包括硅襯底以及設(shè)置在所述硅襯底背離所述鈣鈦礦電池表面上的p+層與n+層;
所述第一區(qū)域?yàn)樗龉杌姵乇砻娴膒+層或n+層所在區(qū)域;
所述第二區(qū)域?yàn)樗龉杌姵乇砻娴膎+層或p+層所在區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層太陽能電池,其特征在于,所述p+層與所述n+層交叉排布;
所述第二電極沉積于所述p+層;
所述第三電極沉積于所述n+層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的疊層太陽能電池,其特征在于,所述硅襯底背離和/或朝向所述鈣鈦礦電池的表面為絨面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的疊層太陽能電池,其特征在于,所述硅基電池還包括界面鈍化層,所述界面鈍化層設(shè)置于所述硅襯底背離所述鈣鈦礦電池的表面,且所述界面鈍化層位于所述p+層以及所述n+層對應(yīng)位置處;
所述第二電極沉積于所述p+層對應(yīng)的所述界面鈍化層;
所述第三電極沉積于所述n+層對應(yīng)的所述界面鈍化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層太陽能電池,其特征在于,所述鈣鈦礦電池包括依次設(shè)置于所述中間層的第一載流子層、鈣鈦礦層、第二載流子層、緩沖層以及透明導(dǎo)電層;
所述第一電極與所述透明導(dǎo)電層電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層太陽能電池,其特征在于,所述中間層為透明導(dǎo)電薄膜、金屬氧化物、堿金屬鹵化物中的任意一種。
7.一種疊層太陽能電池系統(tǒng),其特征在于,包括權(quán)利要求1-6任一所述的疊層太陽能電池。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的疊層太陽能電池系統(tǒng),其特征在于,還包括檢測單元與調(diào)控單元;
所述檢測單元與所述第一電極串聯(lián),所述調(diào)控單元與所述第三電極串聯(lián);
所述檢測單元與所述調(diào)控單元并聯(lián),并與所述第二電極串聯(lián);
所述調(diào)控單元與所述檢測單元信號(hào)連接,所述調(diào)控單元用于在所述檢測單元檢測到所述第一供電回路斷開時(shí),控制所述第二供電回路連通。
9.一種疊層太陽能電池制備工藝,其特征在于,包括以下步驟:
制備硅基電池;
在硅基電池上制備中間層;
在所述中間層背離所述硅基電池一側(cè)制備鈣鈦礦電池;
制備第一電極,所述第一電極電連接與所述鈣鈦礦電池背離所述硅基電池的一側(cè);
硅基電池背離所述鈣鈦礦電池的一側(cè)沉積形成p+層與n+層;
制備第二電極,所述第二電極電連接于所述硅基電池上的p+層或n+層,其中,所述第二電極與所述第一電極的極性相反;
制備第三電極,所述第三電極電連接于所述硅基電池上的n+層或p+層,其中,所述第三電極與所述第二電極的極性相反。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





