[發(fā)明專利]一種改善APD響應(yīng)度均勻性的方法和光電二極管

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• 申請日: 2023-03-23
• 公開（公告）號: CN116417526A
• 公開（公告）日: 2023-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 龔正致;李超翰;廖世容;萬遠濤
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江光特科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/107;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 杭州航璞專利代理有限公司 33498
• 代理人: 賈甜甜

1.一種改善APD響應(yīng)度均勻性的光電二極管，其特征在于，所述光電二極管的非活性區(qū)域上方設(shè)有抗反射涂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善APD響應(yīng)度均勻性的光電二極管，其特征在于，

基于對非活性區(qū)域上方的絕緣介質(zhì)層的厚度的控制實現(xiàn)抗反射功能從而使所述絕緣介質(zhì)層作為所述抗反射涂層；所述抗反射涂層的材料為氧化物、氮化物或硅氧化物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善APD響應(yīng)度均勻性的光電二極管，其特征在于，

所述非活性區(qū)域上方設(shè)置有若干個絕緣介質(zhì)層；

若干個所述絕緣介質(zhì)層中的一個基于所用材料以滿足作為抗反射涂層的目的確定厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種改善APD響應(yīng)度均勻性的光電二極管，其特征在于，

若干個所述絕緣介質(zhì)層中遠離所述非活性區(qū)域的一個設(shè)置為抗反射涂層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善APD響應(yīng)度均勻性的光電二極管，其特征在于，

所述活性區(qū)域上方同樣設(shè)置有抗反射涂層；所述非活性區(qū)域的抗反射涂層和所述活性區(qū)域的抗反射涂層為同種材料同時生長獲得。

6.一種改善APD響應(yīng)度均勻性的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：在蓋帽層上生長第一絕緣介質(zhì)層，采用光刻以及刻蝕的方法將需要擴散的區(qū)域的所述第一絕緣介質(zhì)層刻蝕掉，之后由蓋帽層上表面向下擴散形成P型層；

步驟2：在所述第一絕緣介質(zhì)層上部及內(nèi)側(cè)生長第二絕緣介質(zhì)層，之后采用光刻以及刻蝕的方法將所述第二絕緣介質(zhì)層中間刻蝕掉；

步驟3：在所述第二絕緣介質(zhì)層及P型層上表面生長第三絕緣介質(zhì)層，之后采用光刻以及刻蝕的方法對P型層上方的所述第三絕緣介質(zhì)層刻蝕通孔形成接觸孔；其中，所述第三絕緣介質(zhì)層為具有抗反射功能的抗反射涂層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種改善APD響應(yīng)度均勻性的方法，其特征在于，

所述第三絕緣介質(zhì)層為SiNx抗反射涂層，厚度為100-500nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種改善APD響應(yīng)度均勻性的方法，其特征在于，

所述SiNx抗反射涂層的生長方式為PECVD或ICP-PECVD。

9.一種改善APD響應(yīng)度均勻性的方法，其特征在于，包括以下步驟：

在蓋帽層上加工制備若干個絕緣介質(zhì)層；其中，若干個所述絕緣介質(zhì)層中遠離所述蓋帽層的一個覆蓋非活性區(qū)域并被設(shè)置為抗反射涂層。

10.一種改善APD響應(yīng)度均勻性的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：提供InP襯底，之后依次向上生長N型InP緩沖層、非故意摻雜N型InGaAs吸收層、N型InP電荷層、非故意摻雜InP蓋帽層；

步驟2：在所述非故意摻雜InP蓋帽層上生長第一絕緣介質(zhì)層，采用光刻以及刻蝕的方法將需要擴散的區(qū)域的所述第一絕緣介質(zhì)層刻蝕掉，之后由所述非故意摻雜InP蓋帽層上表面向下擴散形成P型層；

步驟3：在所述第一絕緣介質(zhì)層上部及內(nèi)側(cè)生長第二絕緣介質(zhì)層，之后采用光刻以及刻蝕的方法將所述第二絕緣介質(zhì)層中間刻蝕掉；

步驟4：在所述第二絕緣介質(zhì)層及P型層上表面生長第三絕緣介質(zhì)層，之后采用光刻以及刻蝕的方法對P型層上方的所述第三絕緣介質(zhì)層刻蝕通孔形成接觸孔；其中，所述第三絕緣介質(zhì)層為具有抗反射功能的抗反射涂層。

步驟5：在所述第三絕緣介質(zhì)層上生長P型電極，所述P型電極通過接觸孔與P型層形成歐姆接觸；對襯底背面進行減薄最后蒸鍍N型電極。