[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體器件的可靠性緊湊模型建立方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310287823.6 | 申請(qǐng)日： | 2023-03-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN116484792A | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-07-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 呂紅亮;程林;郭袖秀;嚴(yán)思璐;戚軍軍;張玉明 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 西安電子科技大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G06F30/392 | 分類(lèi)號(hào)： | G06F30/392;G06F111/06 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海棟 |
| 地址： | 710071*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體器件 可靠性 緊湊 模型 建立 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的可靠性緊湊模型建立方法，其特征在于，包括：
獲取半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵特性的退化前測(cè)試數(shù)據(jù)，根據(jù)所述關(guān)鍵特性建立相應(yīng)的緊湊型模型拓?fù)洌?/p>
提取所述緊湊型模型拓?fù)渲性耐嘶暗膮?shù)；
根據(jù)所述退化前的參數(shù)進(jìn)行可靠性實(shí)驗(yàn)，獲取所述關(guān)鍵特性退化后的可靠性測(cè)試數(shù)據(jù)；
根據(jù)所述緊湊型模型拓?fù)浜退鐾嘶暗膮?shù)對(duì)所述退化后的可靠性測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行表征，確定影響器件退化特性表征的敏感參數(shù)；
獲取所述敏感參數(shù)相對(duì)于退化前的退化量，根據(jù)所述退化量隨可靠性參量的變化規(guī)律建立退化模型；
利用所述退化模型對(duì)所述緊湊型模型拓?fù)渲性拿舾袇?shù)進(jìn)行修正，得到半導(dǎo)體器件的可靠性緊湊模型；
通過(guò)在所述可靠性緊湊型模型與所述可靠性參量之間建立接口，將所述可靠性緊湊型模型嵌入到電路設(shè)計(jì)軟件中，實(shí)現(xiàn)所述可靠性緊湊模型在所述電路設(shè)計(jì)軟件中的建立。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的可靠性緊湊模型建立方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件包括HEMT和HBT；所述半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵特性包括射頻小信號(hào)特性、直流特性和噪聲特性，其對(duì)應(yīng)的緊湊型模型拓?fù)浒ㄐ⌒盘?hào)模型拓?fù)洹⒋笮盘?hào)模型拓?fù)浜驮肼暷Ｐ屯負(fù)洹?/p>
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的可靠性緊湊模型建立方法，其特征在于，所述可靠性參量包括應(yīng)力大小、應(yīng)力時(shí)間和溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的可靠性緊湊模型建立方法，其特征在于，對(duì)于InP?HBT的射頻小信號(hào)特性建立對(duì)應(yīng)的射頻小信號(hào)模型拓?fù)洌崛〉纳漕l小信號(hào)模型拓?fù)渲性耐嘶暗膮?shù)，包括：寄生元件參數(shù)、外部分布電容元件參數(shù)和本征元件參數(shù)；
其中，所述寄生元件參數(shù)包括：寄生電容參數(shù)、引線電感參數(shù)和寄生電阻參數(shù)；所述寄生電容參數(shù)包括：基極-集電極寄生電容Cpbc、基極-發(fā)射極寄生電容Cpbe和集電極-發(fā)射極寄生電容Cpce；所述引線電感參數(shù)包括：集電極引線電感Lc、發(fā)射極引線電感Le和基極引線電感Lb；所述寄生電阻參數(shù)包括：集電極寄生電阻Rc、發(fā)射極寄生電阻Re和基極寄生電阻Rb；
所述外部分布電容元件參數(shù)包括：基極-集電極外部分布電容Cbcx和基極-發(fā)射極外部分布電容Cbex；
所述本征元件參數(shù)包括：本征基極電阻Rbi、本征基極-集電極電容Cbci、本征基極-發(fā)射極電阻Rbe和本征基極-發(fā)射極電容Cbei。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的可靠性緊湊模型建立方法，其特征在于，提取所述寄生元件參數(shù)包括以下步驟：
步驟1：通過(guò)開(kāi)-短路焊盤(pán)結(jié)構(gòu)測(cè)試分別提取所述寄生電容參數(shù)和所述引線電感參數(shù)；
步驟2：在截止?fàn)顟B(tài)下，獲取去嵌所述寄生電容和所述引線電感的阻抗參數(shù)，根據(jù)所述阻抗參數(shù)提取所述寄生電阻參數(shù)，其中，
Rc＝real(Zex,22-Zex,21)；
Re＝real(Zex,12)；
Rleft＝Rb+Rbi＝real(Zex,11-Zex,12)；
其中，Zex為去嵌寄生電容及引線電感后的阻抗參數(shù)；Zex，11為二端口網(wǎng)絡(luò)輸出端開(kāi)路的輸入阻抗參數(shù)；Zex，12為二端口網(wǎng)絡(luò)輸入端開(kāi)路的反向傳輸阻抗參數(shù)；Zex，21為二端口網(wǎng)絡(luò)輸出端開(kāi)路的正向傳輸阻抗參數(shù)；Zex，22為二端口網(wǎng)絡(luò)輸入端開(kāi)路的輸出阻抗參數(shù)；real表示取實(shí)部；Rleft為截止?fàn)顟B(tài)下基極端電阻的總和。
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