[發(fā)明專利]一種器件芯片中凹槽及間隙的加工方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310283896.8
• 申請日: 2022-12-07
• 公開（公告）號: CN116216629A
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發(fā)明（設計）人: 雷永慶;謝國偉;李明
• 申請（專利權）人: 麥斯塔微電子（深圳）有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
• 代理公司: 深圳漢林匯融知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44850
• 代理人: 吳洪波

1.一種器件芯片中凹槽及間隙的加工方法，其特征在于，所述器件芯片包括：基襯底、蓋襯底以及器件層，其中，所述蓋襯底與所述基襯底間隔設置，所述器件層設置在所述基襯底和所述蓋襯底之間；所述器件層包括電極、連接部以及致動部，所述連接部分別與所述基襯底和所述蓋襯底固定連接，所述電極與所述基襯底固定連接并與所述蓋襯底電連接，所述致動部與所述連接部耦合；所述致動部與所述電極之間設置有間隙，以使所述致動部和所述電極之間形成電容；所述電極用于接收電信號，并根據(jù)所述電信號驅(qū)動所述致動部；所述電極上設置有凹槽，所述凹槽沿所述電極的厚度方向延伸，且所述凹槽的開口朝向所述蓋襯底；

所述凹槽及間隙一次成型，其加工方法如下：

根據(jù)所述器件層的厚度設計凹槽和間隙的寬度，其中，所述間隙的寬度大于所述凹槽的寬度；所述凹槽的寬度在0.7~2.0um之間，所述間隙的寬度在1~3um之間；

在器件層的晶圓上涂覆凹槽光刻膠；

進行DRIE刻蝕。

2.一種器件芯片中凹槽及間隙的加工方法，其特征在于，所述器件芯片包括：基襯底、蓋襯底以及器件層，其中，所述蓋襯底與所述基襯底間隔設置，所述器件層設置在所述基襯底和所述蓋襯底之間；所述器件層包括電極、連接部以及致動部，所述連接部分別與所述基襯底和所述蓋襯底固定連接，所述電極與所述基襯底固定連接并與所述蓋襯底電連接，所述致動部與所述連接部耦合；所述致動部與所述電極之間設置有間隙，以使所述致動部和所述電極之間形成電容；所述電極用于接收電信號，并根據(jù)所述電信號驅(qū)動所述致動部；所述電極上設置有凹槽，所述凹槽沿所述電極的厚度方向延伸，且所述凹槽的開口朝向所述蓋襯底；

所述凹槽及間隙分別加工成型，其加工方法如下：

在所述器件層的晶圓上涂覆凹槽光刻膠；

進行所述凹槽的刻蝕，其中，所述凹槽的寬度在0.7~2.0um之間，刻蝕16um深度；

沖洗掉所述凹槽光刻膠；

在刻蝕出所述凹槽的晶圓上再次涂覆間隙光刻膠；

進行所述間隙的刻蝕，其中，所述間隙的寬度大于所述凹槽的寬度，所述間隙的寬度在1~3um之間，將晶圓刻穿。

3.如權利要求1或2所述的加工方法，其特征在于，所述凹槽的寬度為0.8um，所述間隙的寬度為3um。

4.如權利要求1或2所述的加工方法，其特征在于，所述基襯底和蓋襯底為硅基襯底。

5.如權利要求1或2所述的加工方法，其特征在于，所述器件層的材質(zhì)為單晶硅。