[發(fā)明專利]用于無電金鍍敷的鍍浴組合物和沉積金層的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202310280778.1
• 申請日: 2016-09-16
• 公開（公告）號: CN116607132A
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅伯特·施普倫曼;克里斯蒂安·內(nèi)特利希;薩布里納·格倫諾瓦;德米特羅·沃隆申;鮑里斯·亞歷山大·詹森;東尼·勞坦
• 申請（專利權(quán)）人: 埃托特克德國有限公司
• 主分類號: C23C18/16
• 分類號: C23C18/16;C23C18/18;C23C18/44
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 郭國清;宮方斌

1.含水無電金鍍浴，所述含水無電金鍍浴包含至少一種金離子源和至少一種用于金離子的還原劑，其特征在于所述含水無電金鍍浴包含至少一種根據(jù)式(I)的乙二胺衍生物作為鍍敷增強(qiáng)劑化合物

其中式(I)中的殘基R¹和R²是具有3個碳原子的支鏈烷基殘基，其中各殘基R¹和R²相同；所述至少一種用于金離子的還原劑選自脂族醛、脂族二醛、脂族不飽和醛、芳族醛、和具有醛基團(tuán)的糖；其中根據(jù)式(I)的鍍敷增強(qiáng)劑化合物與還原劑的摩爾比為1.0至2.0。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含水無電金鍍浴，其特征在于式(I)中的殘基R¹和R²不含任何另外的氨基部分和/或任何羥基部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的含水無電金鍍浴，其特征在于所述至少一種根據(jù)式(I)的鍍敷增強(qiáng)劑化合物的濃度范圍為0.001–1mol/L。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的含水無電金鍍浴，其特征在于所述至少一種根據(jù)式(I)的鍍敷增強(qiáng)劑化合物的濃度范圍為10mmol/L至100mmol/L。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的含水無電金鍍浴，其特征在于所述含水無電金鍍浴的pH范圍為5至9。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的含水無電金鍍浴，其特征在于金離子濃度范圍為0.1g/L至10g/L。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的含水無電金鍍浴，其特征在于所述含水無電金鍍浴還包含至少一種選自羧酸、羥基羧酸、氨基羧酸、氨基膦酸或前述項(xiàng)的鹽的絡(luò)合劑。

8.一種用于將金層沉積到基底上的方法，所述方法依次包括以下步驟

(i)提供基底，

(ii)使所述基底的至少一部分表面與根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的含水無電金鍍浴接觸，

并由此將金層沉積在所述基底的所述至少一部分表面上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于將金層沉積到基底上的方法，其中所述至少一部分表面由金屬或金屬合金構(gòu)成并然后將金沉積在由金屬或金屬合金構(gòu)成的所述至少一部分表面上，所述金屬或金屬合金選自鎳，鎳合金，鈷，鈷合金，鈀，鈀合金，銅和銅合金以及金或金合金。

10.根據(jù)式(I)的乙二胺衍生物在含水金鍍浴中作為鍍敷增強(qiáng)劑化合物的用途，

所述乙二胺衍生物帶有殘基R¹和R²，式(I)中的殘基R¹和R²是具有3個碳原子的支鏈烷基殘基，其中各殘基R¹和R²相同，所述含水金鍍浴包含至少一種金離子源和至少一種用于金離子的還原劑，所述至少一種用于金離子的還原劑選自脂族醛、脂族二醛、脂族不飽和醛、芳族醛、和具有醛基團(tuán)的糖；其中根據(jù)式(I)的鍍敷增強(qiáng)劑化合物與還原劑的摩爾比為1.0至2.0。