[發(fā)明專利]一種非接觸式方阻測(cè)量傳感器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310276404.2
• 申請(qǐng)日: 2023-03-21
• 公開（公告）號(hào): CN116525478A
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏明軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫研譜智能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L31/18
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 王澎

本發(fā)明提出了一種非接觸式方阻測(cè)量傳感器，涉及方阻測(cè)量傳感器領(lǐng)域；包括監(jiān)測(cè)探頭和信號(hào)處理電路，所述監(jiān)測(cè)探頭與所述信號(hào)處理電路連接；所述監(jiān)測(cè)探頭，用于在待測(cè)硅片移動(dòng)的過程中連續(xù)獲得振蕩信號(hào)，并將所述振蕩信號(hào)實(shí)時(shí)傳輸至所述信號(hào)處理電路；所述信號(hào)處理電路，用于根據(jù)振蕩信號(hào)獲得電壓信號(hào)，并根據(jù)所述電壓信號(hào)獲得所述振蕩信號(hào)對(duì)應(yīng)的目標(biāo)方阻值；還包括輔助探頭，所述輔助探頭，用于增強(qiáng)從待測(cè)硅片在移動(dòng)的過程中獲取的振蕩信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度；能夠在線掃描流水線上的每一張硅片的方阻，從而利于產(chǎn)生整個(gè)硅片一系列的數(shù)據(jù)，便于供工藝人員分析監(jiān)視工藝參數(shù)或由硅片機(jī)分選出不同規(guī)格方阻的硅片分類。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及方阻測(cè)量傳感器領(lǐng)域，具體而言，涉及一種非接觸式方阻測(cè)量傳感器。

背景技術(shù)

目前太陽能電池片在生產(chǎn)中，判定擴(kuò)散是否優(yōu)良均是通過測(cè)試硅片表面方阻來體現(xiàn)，監(jiān)測(cè)方塊電阻的方法多為接觸式四探針(4PP)，四探針測(cè)量裝置是一種接觸式測(cè)量，接觸式測(cè)試設(shè)備均需要進(jìn)行取片、測(cè)片和放片，效率低，期間不免有摩擦、破損和污染等不良現(xiàn)象；并且目前測(cè)試均是抽檢硅片，對(duì)于未監(jiān)測(cè)到的硅片，存在方阻異常流入下道工序的可能；另一方面，方阻的接觸式四點(diǎn)探針測(cè)量還存在測(cè)量速度慢的問題，每測(cè)量一個(gè)點(diǎn)需要較多時(shí)間，并且每張硅片上測(cè)量點(diǎn)數(shù)較少，并不能反映整個(gè)硅片上的方阻的多個(gè)數(shù)據(jù)記錄曲線；接觸式四探針測(cè)量方式的局限性導(dǎo)致了缺乏對(duì)硅片表面方阻變化數(shù)據(jù)的記錄分析，丟失了生產(chǎn)過程中硅片特性變化的重要信息，不利于通過數(shù)據(jù)分析對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整或?qū)杵M(jìn)行分類。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種非接觸式方阻測(cè)量傳感器，能夠在線掃描流水線上的每一張硅片的方阻，從而利于產(chǎn)生整個(gè)硅片一系列的數(shù)據(jù)，便于供工藝人員分析監(jiān)視工藝參數(shù)或由硅片機(jī)分選出不同規(guī)格方阻的硅片分類。

本發(fā)明的實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的：

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種非接觸式方阻測(cè)量傳感器，包括監(jiān)測(cè)探頭、信號(hào)處理電路和輔助探頭，監(jiān)測(cè)探頭與信號(hào)處理電路連接；

監(jiān)測(cè)探頭，用于獲取待測(cè)硅片在移動(dòng)過程中的多個(gè)振蕩信號(hào)，并將振蕩信號(hào)實(shí)時(shí)傳輸至信號(hào)處理電路；

輔助探頭，用于增強(qiáng)每個(gè)振蕩信號(hào)的信號(hào)強(qiáng)度；

信號(hào)處理電路，用于接收信號(hào)強(qiáng)度增強(qiáng)后的振蕩信號(hào)，根據(jù)信號(hào)強(qiáng)度增強(qiáng)后的振蕩信號(hào)獲得電壓信號(hào)，并根據(jù)電壓信號(hào)獲得振蕩信號(hào)對(duì)應(yīng)的目標(biāo)方阻值。

本發(fā)明的有益效果是：通過監(jiān)測(cè)探頭獲取待測(cè)硅片移動(dòng)的過程中不同的振蕩信號(hào)，信號(hào)處理電路連接再將振蕩信號(hào)放大、轉(zhuǎn)化，從而得到與振蕩信號(hào)對(duì)應(yīng)的目標(biāo)方阻值，達(dá)到監(jiān)測(cè)待測(cè)硅片的方阻的目的，并且根據(jù)連續(xù)獲得的振蕩信號(hào)，可以獲得整個(gè)待測(cè)硅片的一系列方阻數(shù)據(jù)，便于供工藝人員分析監(jiān)視工藝參數(shù)或由硅片機(jī)分選出不同規(guī)格方阻的硅片分類；再通過設(shè)置的輔助探頭可大大增強(qiáng)監(jiān)測(cè)探頭的信號(hào)變化強(qiáng)度，提高了整個(gè)方阻傳感器的靈敏度。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。

進(jìn)一步，上述監(jiān)測(cè)探頭包括振蕩線圈L1和運(yùn)放A1，運(yùn)放A1的第2引腳與振蕩線圈L1之間還連接有電阻R8，振蕩線圈L1的一端與電阻R8的一端之間還連接有電容C7，電容C7的另一端接地；振蕩線圈L1的另一端連接有三極管Q3的C極，三極管Q3的e極連接電容C8的一端，電容C8的另一端連接有三極管Q4的e極，三極管Q4的c極接地，且三極管Q4的b極和三極管Q3的b極分別連接電阻R7的兩端，三極管Q3的b極還分別連接電阻R5的一端和電阻R6的一端，電阻R5的另一端接地，電阻R6的另一端連接-12v；