[發(fā)明專利]一種具有超聲清洗功能的半導(dǎo)體校準裝置

在審

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• 申請日: 2023-03-17
• 公開（公告）號: CN116230607A
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張亞飛;劉勝芳;劉曉佳
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/67;B08B7/00
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107
• 代理人: 張永生

本發(fā)明公開了一種具有超聲清洗功能的半導(dǎo)體校準裝置，包括半導(dǎo)體前端設(shè)備模塊，所述半導(dǎo)體前端設(shè)備模塊內(nèi)設(shè)有用于對晶圓校準的校準結(jié)構(gòu)，還包括用于清除晶圓表面塵粒的超聲波清洗器，所述超聲波清洗器設(shè)在校準結(jié)構(gòu)的上方，超聲波清洗器包括可升降的超聲清洗頭，超聲清洗頭對應(yīng)校準結(jié)構(gòu)設(shè)置。該具有超聲清洗功能的半導(dǎo)體校準裝置結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，將晶圓校準器/尋邊器和干式超聲波清洗器組合使用在半導(dǎo)體前端技術(shù)模塊內(nèi)，同時具備晶圓、玻璃基板校準/尋邊功能和表面顆粒去除功能；集成設(shè)置，設(shè)備體積相對較小，產(chǎn)品良率更高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種具有超聲清洗功能的半導(dǎo)體校準裝置。

背景技術(shù)

目前，半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體檢測設(shè)備等使用的前端技術(shù)模塊(EFEM)，只使用晶圓校準器/尋邊器(Aligner)，可以非接觸式尋找晶圓或玻璃中心及找notch或Mark標志。半導(dǎo)體或者硅基Micro-OLED微顯示等行業(yè)對產(chǎn)品良率要求很高，而顆粒(particle)是造成良率損失的最重要的原因之一。傳統(tǒng)的顆粒去除方法是水洗、吹掃、烘干，而在進入下一道工序前的傳輸過程，會有顆粒晶圓/玻璃表面，從而造成良率損失。

在面板行業(yè)的干法刻蝕(Dry?Etch)設(shè)備會在設(shè)備邊上加裝獨立的干式超聲波清洗機(USC)用來去除玻璃基板表面的顆粒；而在半導(dǎo)體和硅基微顯示行業(yè)用到的半導(dǎo)體設(shè)備無此裝置，若在半導(dǎo)體設(shè)備前單獨增加一個干式超聲波清洗器，會增加設(shè)備整體的占地面積，影響設(shè)備的操作和保養(yǎng)，且增加生產(chǎn)時間。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)不足，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種具有超聲清洗功能的半導(dǎo)體校準裝置，其可在晶圓或玻璃基板尋邊校準時同步去除其表面的塵粒。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為：

該具有超聲清洗功能的半導(dǎo)體校準裝置，包括半導(dǎo)體前端設(shè)備模塊，所述半導(dǎo)體前端設(shè)備模塊內(nèi)設(shè)有用于對晶圓校準的校準結(jié)構(gòu)，還包括用于清除晶圓表面塵粒的超聲波清洗器，所述超聲波清洗器設(shè)在校準結(jié)構(gòu)的上方，超聲波清洗器包括可升降的超聲清洗頭，超聲清洗頭對應(yīng)校準結(jié)構(gòu)設(shè)置。

進一步的：

所述校準結(jié)構(gòu)為校準器/尋邊器。

所述半導(dǎo)體前端設(shè)備模塊上設(shè)有裝載口，半導(dǎo)體前端設(shè)備模塊內(nèi)設(shè)有用于晶圓轉(zhuǎn)移的機械手臂。

所述校準結(jié)構(gòu)包括旋轉(zhuǎn)載臺和設(shè)在旋轉(zhuǎn)載臺上的脈沖發(fā)生器及激光傳感器。

所述超聲波清洗器懸掛設(shè)置在校準結(jié)構(gòu)上方。

所述超聲波清洗器包括懸掛吊桿和可控制升降設(shè)在懸掛吊桿上的電動馬達，超聲清洗頭設(shè)在電動馬達上。

所述半導(dǎo)體前端設(shè)備模塊內(nèi)設(shè)有進氣管和排氣管，超聲清洗頭上設(shè)有正壓出口和負壓口，進氣管與正壓出口相連通，排氣管與負壓口相連通。

所述正壓出口為兩個長條狀的條形出口，負壓口位于兩個正壓出口之間。

兩個所述條形出口向中間傾斜設(shè)置。

所述超聲清洗頭內(nèi)對應(yīng)正壓出口設(shè)有兩個壓力腔，對應(yīng)負壓口設(shè)有真空腔，真空腔位于兩個壓力腔之間。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點：

該具有超聲清洗功能的半導(dǎo)體校準裝置結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，將晶圓校準器/尋邊器和干式超聲波清洗器組合使用在半導(dǎo)體前端技術(shù)模塊內(nèi)，同時具備晶圓、玻璃基板校準/尋邊功能和表面顆粒去除功能；集成設(shè)置，設(shè)備體積相對較小，產(chǎn)品良率更高。

附圖說明

下面對本說明書各幅附圖所表達的內(nèi)容及圖中的標記作簡要說明：

圖1為本發(fā)明裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明前端正視示意圖。