[發(fā)明專利]一種基于微波等離子體燒結(jié)制備高立方織構(gòu)占有率電子鋁箔的方法

有效

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• 申請日: 2023-03-17
• 公開（公告）號: CN116426850B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄧玉萍;李桂淑;覃雪;劉闊;袁曉清;龍周國
• 申請（專利權(quán)）人: 廣西廣投正潤新材料科技有限公司
• 主分類號: C22F1/04
• 分類號: C22F1/04;C21D8/02;C22F1/02;C22C1/02;B21B1/40;C21D9/46
• 代理公司: 廣西中知華譽知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 45140
• 代理人: 王雪

本發(fā)明公開了一種基于微波等離子體燒結(jié)制備高立方織構(gòu)占有率電子鋁箔的方法，通過將純度達到99.99％以上的高純鋁，按傳統(tǒng)電子鋁箔的熔煉、鑄造、均熱、熱軋、冷軋、中間退火、箔軋等工藝步驟生產(chǎn)完成后，將經(jīng)過最后箔軋道次的鋁箔在具有燒結(jié)助劑性質(zhì)的、包含有還原性氣氛和保護性氣氛的混合氣體中進行微波等離子體燒結(jié)熱處理，最終制備出立方織構(gòu)占有率高的鋁箔，其優(yōu)點是：與目前傳統(tǒng)退火工藝相比，立方織構(gòu)占有率能夠提高1?4％；并且能夠提升產(chǎn)品質(zhì)量，同時能夠大幅提高生產(chǎn)效率。

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及鋁電解電容器用中高壓陽極鋁箔的制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于微波等離子體燒結(jié)制備高立方織構(gòu)占有率電子鋁箔的方法。

【背景技術(shù)】

電容器在電子元器件產(chǎn)業(yè)中占有重要地位，是電子行業(yè)發(fā)展不可或缺的基礎(chǔ)電子元器件之一，被廣泛應(yīng)用于電路中的隔直通交、耦合、旁路、濾波、調(diào)諧回路等地方，產(chǎn)品主要用于消費類電子、LED、5G基站等領(lǐng)域，成為現(xiàn)代科技的重要支柱之一。電容器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平在很大程度上影響著電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在整機使用的電子元件中，鋁電解電容器占四大類電容器產(chǎn)量的35％以上，而電極箔正是鋁電解電容器制造的關(guān)鍵原材料。由于電子產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，尤其是通信產(chǎn)品、計算機、家電等整機產(chǎn)品市場的急劇擴大，對鋁電極箔產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到了推波助瀾的作用。同時由于鋁電解電容器的小型化、高性能化、片式化的要求越來越迫切，對電極箔的制造業(yè)也提出了更高的技術(shù)和質(zhì)量要求，因而電極箔市場需求量較大。由于目前產(chǎn)業(yè)化的電極箔普遍通過電化學(xué)腐蝕擴大鋁箔比表面積來提高比容量，而鋁箔中立方織構(gòu)占有率直接決定了腐蝕后擴面效果的好壞，因此，國內(nèi)外公認(rèn)的以鋁箔中立方織構(gòu)占有率的高低作為電極箔制造優(yōu)劣的關(guān)鍵指標(biāo)，如目前中高壓用電極箔的立方織構(gòu)占有率通常都在95％以上。

目前已有相關(guān)的研究，例如中國專利申請202010604197.5公開了一種提高高壓陽極電子鋁箔立方織構(gòu)的成品退火方法，首先將退火爐抽真空、充入保護氣體，加熱到450-550℃條件下保溫5-10h，然后繼續(xù)加熱到580-650℃條件下保溫14-18h，接著進行降溫，降溫到520-570℃條件下保溫5-10h，或者料溫到達設(shè)定溫度，最后冷卻到設(shè)定溫度，出爐，該發(fā)明退火工藝能夠有效提升高壓陽極電子鋁箔立方織構(gòu)占有率，與現(xiàn)有通用退火工藝相比，立方織構(gòu)占有率能夠提高1-10％，并且能夠提高產(chǎn)品質(zhì)量，同時能夠大幅提高生產(chǎn)效率,降低生產(chǎn)成本。又例如中國專利申請200410023070.5公開了強立方織構(gòu)電容鋁箔的制造方法，主要包括熔煉-鑄坯-熱軋-冷軋-成品退火，該發(fā)明還包括在對鋁箔冷軋到成品厚度前某一厚度X時釆用退火方法，再經(jīng)過較小的變形程度軋至成品厚度，該發(fā)明的優(yōu)點在于純鋁薄板冷軋至鋁箔成品厚度前的某一厚度范圍時，采用合適的退火方法使鋁卷(薄板)獲得大量立方取向晶核，利用這些立方晶核在較小變形程度軋制變形后仍為立方或近立方取向的特點，在成品退火時迅速形成大量立方取向再結(jié)晶核心，最終提高成品鋁箔中立方織構(gòu)的比例。

上述兩個專利申請通過調(diào)控最后到成品退火工藝條件，如加熱時間、溫度段設(shè)置及保溫時間等，能夠有效地弱化不合理退火溫度段對立方織構(gòu)的影響，從而大大提升了立方織構(gòu)的含量，同時更能夠大幅度提高生產(chǎn)效率。目前生成電極鋁箔的成熟工藝流程包括：熔煉—鑄坯—熱軋—冷軋—中間退火—成品退火。在熔煉調(diào)控成分確定后，鋁箔中立方織構(gòu)的比例受鋁箔加工工藝的影響，而其中影響最顯著的為成品退火工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

針對現(xiàn)有技術(shù)中行業(yè)內(nèi)陽極電子鋁箔的成品退火普遍在帶有抽真空功能的保護性氣體退火爐中進行，但是按照目前通用的成品退火工藝，由于加熱時間長，溫度段的設(shè)置不夠合理，從而造成電子鋁箔立方織構(gòu)的生長受阻，影響了最終立方織構(gòu)占有率的問題，本發(fā)明提供了一種基于微波等離子體燒結(jié)制備高立方織構(gòu)占有率電子鋁箔的方法，通過完全改變退火的方式能夠獲得積極效果的基礎(chǔ)上提出來的，獲得了較好的研究結(jié)果。

本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：