[發明專利]一種提高晶體管光電性能的方法有效
| 申請號： | 202310260637.3 | 申請日： | 2023-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN116390607B | 公開（公告）日： | 2023-10-20 |
| 發明（設計）人： | 紀德洋;朱東陽;胡文平 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | H10K71/12 | 分類號： | H10K71/12;H10K10/46 |
| 代理公司： | 北京東方盛凡知識產權代理有限公司 11562 | 代理人： | 程小芳 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 晶體管 光電 性能 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高晶體管光電性能的方法，其特征在于，由鋯基金屬有機框架材料和聚酰胺酸制備旋涂溶液，再由所述旋涂溶液制備晶體管。
2.根據權利要求1所述一種提高晶體管光電性能的方法，其特征在于，所述鋯基金屬有機框架材料在旋涂溶液中的濃度為0.37-0.73mg/mL。
3.根據權利要求2所述一種提高晶體管光電性能的方法，其特征在于，所述鋯基金屬有機框架材料為Zr-BTB。
4.根據權利要求1所述一種提高晶體管光電性能的方法，其特征在于，由鋯基金屬有機框架材料和聚酰胺酸制備旋涂溶液包括以下步驟：將鋯基金屬有機框架材料分散液加入到聚酰胺酸中，混合均勻，得到旋涂溶液。
5.根據權利要求1所述一種提高晶體管光電性能的方法，其特征在于，由所述旋涂溶液制備晶體管的方法，包括以下步驟：
(1)將所述旋涂溶液涂覆在導電玻璃表面，得到介電層；
(2)在所述介電層表面沉積C10-DNTT半導體層；
(3)繼續在步驟(2)得到的產物表面沉積Au源、漏電極，得到晶體管。
6.根據權利要求5所述一種提高晶體管光電性能的方法，其特征在于，所述導電玻璃為ITO，方阻＜10Ω。
7.根據權利要求5所述一種提高晶體管光電性能的方法，其特征在于，C10-DNTT半導體層的厚度為20nm。
8.根據權利要求5所述一種提高晶體管光電性能的方法，其特征在于，源、漏電極的厚度均為20nm。
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