[發明專利]靜電放電電路、顯示基板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202310259122.1 | 申請日: | 2023-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN116230708A | 公開(公告)日: | 2023-06-06 |
| 發明(設計)人: | 劉佳;蔡文哲;鄧凱杰;王蓉;黃耀;董向丹;梁珂 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H10K59/131 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 蔣冬梅;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 放電 電路 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種靜電放電電路,其特征在于,包括:
第一電壓線和第二電壓線,所述第一電壓線提供的第一電壓信號大于所述第二電壓線提供的第二電壓信號;
多個晶體管,串聯連接在所述第一電壓線和第二電壓線之間;所述多個晶體管中的至少一個晶體管為氧化物薄膜晶體管,所述氧化物薄膜晶體管包括頂柵和底柵,所述氧化物薄膜晶體管的底柵與第三電壓線電連接;所述第一電壓線提供的第一電壓信號大于所述第三電壓線提供的第三電壓信號。
2.根據權利要求1所述的電路,其特征在于,所述第三電壓線提供的第三電壓信號小于所述第二電壓線提供的第二電壓信號。
3.根據權利要求1所述的電路,其特征在于,所述靜電放電電路的全部晶體管均為氧化物薄膜晶體管,且為N型晶體管。
4.根據權利要求3所述的電路,其特征在于,所述靜電放電電路包括:串聯的四個氧化物薄膜晶體管,其中,第一個氧化物薄膜晶體管的第一極與所述第一電壓線電連接,第i個氧化物薄膜晶體管的第二極和頂柵與第i+1個氧化物薄膜晶體管的第一極電連接,第四個氧化物薄膜晶體管的第二極與所述第二電壓線電連接,i為大于或等于1且小于4的正整數;
所述四個氧化物薄膜晶體管的底柵均與所述第三電壓線電連接;第二個氧化物薄膜晶體管的頂柵和第二極與第三個氧化物薄膜晶體管的第一極均與信號輸入端電連接。
5.根據權利要求3所述的電路,其特征在于,所述靜電放電電路包括串聯的兩個氧化物薄膜晶體管,其中一個氧化物薄膜晶體管的第一極和所述第一電壓線電連接,所述氧化物薄膜晶體管的頂柵和第二極與另一個氧化物薄膜晶體管的第一極和信號輸入端電連接,所述另一個氧化物薄膜晶體管的第二極與所述第二電壓線電連接;所述兩個氧化物薄膜晶體管的底柵均與所述第三電壓線電連接。
6.一種顯示基板,其特征在于,包括:
襯底,包括顯示區域和位于所述顯示區域至少一側的周邊區域;
至少一條信號線以及至少一個靜電放電電路,位于所述周邊區域;每個靜電放電電路連接在第一電壓線和第二電壓線之間,并與一條信號線電連接,被配置為給所述信號線提供靜電釋放路徑;
所述靜電放電電路包括至少一個氧化物薄膜晶體管;所述氧化物薄膜晶體管包括有源層、底柵和頂柵,所述底柵位于所述有源層靠近所述襯底的一側,所述頂柵位于所述有源層遠離所述襯底的一側,所述底柵與第三電壓線電連接;所述第一電壓線提供的第一電壓信號大于所述第二電壓線提供的第二電壓信號,且大于所述第三電壓線提供的第三電壓信號。
7.根據權利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述氧化物薄膜晶體管的頂柵在所述襯底的正投影位于底柵在所述襯底的正投影范圍內。
8.根據權利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述至少一個靜電放電電路的多個氧化物薄膜晶體管的底柵為一體結構。
9.根據權利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述第一電壓線、所述第二電壓線和所述第三電壓線位于所述氧化物薄膜晶體管的頂柵遠離所述襯底的一側。
10.根據權利要求6至9中任一項所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示區域設置有多條數據線;所述顯示基板包括多條信號線和多個靜電放電電路;所述多條信號線包括:多條數據引出線;所述多條數據引出線與所述多條數據線分別電連接;
所述多個靜電放電電路包括:多個第一靜電放電電路;至少一條數據引出線與至少一個第一靜電放電電路電連接;所述至少一個第一靜電放電電路與所連接的數據引出線在第一方向上相鄰,所述第一靜電放電電路包括多個氧化物薄膜晶體管,所述第一靜電放電電路的多個氧化物薄膜晶體管沿第二方向排布,所述第一方向與第二方向交叉。
11.根據權利要求10所述的顯示基板,其特征在于,所述多條數據引出線包括多組數據引出線,至少一組數據引出線包括異層設置的相鄰兩條數據引出線,所述兩條數據引出線在所述襯底的正投影沒有交疊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





