[發(fā)明專利]一種TiVCrZrW/Si納米復(fù)合涂層的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310248717.7
• 申請日: 2023-03-15
• 公開（公告）號: CN116219365A
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 范云婷;任萍;李亞;馬嘯飛;郁大良;李奐宇
• 申請（專利權(quán)）人: 煙臺大學(xué)
• 主分類號: C23C14/18
• 分類號: C23C14/18;C23C14/35;B82Y40/00
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109
• 代理人: 李紅媛

1.一種TiVCrZrW/Si納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于TiVCrZrW/Si納米復(fù)合涂層的制備方法是按以下步驟進行的：

一、依次對襯底進行清洗和烘干；所述的襯底為鈦基材料；

二、將步驟一中清洗和烘干后的襯底放入磁控濺射裝置的真空腔體中，將TiVCrZrW靶材和Si靶材分別安裝在磁控濺射裝置的靶位上，然后對腔體抽真空；

三、向腔體中通入Ar氣體作為濺射氣體，調(diào)節(jié)腔體中的工作壓強為0.8Pa～0.9Pa；TiVCrZrW靶采用直流電流，濺射電流為0.5A～0.6A；Si靶采用射頻電流，Si的射頻功率為20W～100W；兩個靶材同時開始濺射，兩個靶材的濺射厚度相等，均為0.9μm～1.1μm；

所述的Ar的流速為100sccm～110sccm；

四、濺射結(jié)束后，將腔體冷卻至室溫，得到TiVCrZrW/Si涂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TiVCrZrW/Si納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于步驟一中所述的鈦基材料為TiO₂。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TiVCrZrW/Si納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于步驟二中對腔體抽真空至真空度為1×10^-4Pa～1.1×10^-4Pa。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TiVCrZrW/Si納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于步驟三中Si的射頻功率為40W。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TiVCrZrW/Si納米復(fù)合涂層的制備方法，其特征在于步驟三中所述的Ar的流速為100sccm。