[發明專利]一種低剖面毫米波磁電偶極子天線陣列在審
| 申請號: | 202310248083.5 | 申請日: | 2023-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN116315634A | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發明(設計)人: | 王婧雪;胡遵望;蔣德富 | 申請(專利權)人: | 河海大學 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q13/10;H01Q21/00 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 田凌濤 |
| 地址: | 211100 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 剖面 毫米波 磁電 偶極子 天線 陣列 | ||
1.一種低剖面毫米波磁電偶極子天線陣列,其特征在于:包括設置在一個介質基片上的饋電網絡結構、毫米波磁電偶極子天線陣列,饋電網絡結構包括設置在介質基片一面上呈直線狀的第一中心導體帶(1)、以及在介質基片一面上第一中心導體帶(1)兩側的第一接地導體帶(2)、第二接地導體帶(3);
毫米波磁電偶極子天線陣列包括設置在介質基片上的預設數量天線單元(4),各天線單元(4)結構相同,各天線單元(4)分別均包括設置在介質基片另一面上的金屬貼片單元、設置在第一接地導體帶(2)上與天線單元(4)位置對應的呈直線狀的第一縫隙(5)、以及設置在第二接地導體帶(3)上與天線單元(4)位置對應的呈直線狀的第二縫隙(6);第一縫隙(5)中沿其所在直線方向的中心線與第二縫隙(6)中沿其所在直線方向的中心線在一條直線上,且該直線與第一中心導體帶(1)所在直線正交;第一縫隙(5)與第一接地導體帶(2)和第一中心導體帶(1)之間的縫隙相接,第二縫隙(6)與第二接地導體帶(3)和第一中心導體帶(1)之間的縫隙相接;各天線單元(4)沿著第一中心導體帶(1)延伸方向不重合的排列。
2.根據權利要求1所述一種低剖面毫米波磁電偶極子天線陣列,其特征在于:所述天線單元(4)的金屬貼片單元包括形狀大小相同的第一金屬貼片、第二金屬貼片、第三金屬貼片、第四金屬貼片,各金屬貼片上設置有預設數量第一金屬化通孔(7),第一金屬化通孔(7)貫穿金屬貼片、介質基片、接地導體帶,第一金屬貼片、第二金屬貼片的位置關于第一縫隙(5)所在直線軸對稱構成第一組金屬貼片,第三金屬貼片、第四金屬貼片的位置關于第二縫隙(6)所在直線軸對稱構成第二組金屬貼片,第一組金屬貼片與第二組金屬貼片的位置關于第一中心導體帶(1)所在直線軸對稱。
3.根據權利要求1所述一種低剖面毫米波磁電偶極子天線陣列,其特征在于:還包括兩個轉接結構,兩轉接結構的結構相同,各轉接結構分別均包括設置在介質基片一面上的下金屬層(10)、以及設置在介質基片另一面上的上金屬層(9),下金屬層(10)包括呈直線狀的第二中心導體帶(8)、以及設置在第二中心導體帶(8)兩側的第三接地導體帶、第四接地導體帶,第二中心導體帶(8)的一端與第一中心導體帶(1)的一端連接,并且第二中心導體帶(8)中沿其所在直線方向的中心線與第一中心導體帶(1)中沿其所在直線方向的中心線在一條直線上,第三接地導體帶與第一接地導體帶(2)連接,第四接地導體帶與第二接地導體帶(3)連接,下金屬層(10)上設置有預設數量第二金屬化通孔(12)貫穿下金屬層(10)、介質基片、上金屬層(9),下金屬層(10)上還設置有預設數量機械通孔(11)通過機械通孔連接至同軸接頭實現饋電,第二中心導體帶(8)的另一端與同軸接頭中的探針接觸;
所述第一中心導體帶(1)的一端連接一個轉接結構對應的第二中心導體帶(8)的一端,所述第一中心導體帶(1)的另一端連接另一個轉接結構對應的第二中心導體帶(8)的一端。
4.根據權利要求1所述一種低剖面毫米波磁電偶極子天線陣列,其特征在于:所述第一縫隙(5)和第二縫隙(6)尺寸相同。
5.根據權利要求3所述一種低剖面毫米波磁電偶極子天線陣列,其特征在于:所述第二中心導體帶(8)寬度大于第一中心導體帶(1)寬度。
6.根據權利要求5所述一種低剖面毫米波磁電偶極子天線陣列,其特征在于:所述第二中心導體帶(8)的兩端均呈相同的漸變結構,以第二中心導體帶(8)的寬度為起始,第二中心導體帶(8)的寬度基于預設斜率變化,直到達到第一中心導體帶(1)的寬度為止。
7.根據權利要求2所述一種低剖面毫米波磁電偶極子天線陣列,其特征在于:所述金屬貼片為梯形金屬貼片,第一金屬貼片、第二金屬貼片上底邊相對,第三金屬貼片、第四金屬貼片上底邊相對。
8.根據權利要求1所述一種低剖面毫米波磁電偶極子天線陣列,其特征在于:所述預設個數天線單元(4)中兩天線單元(4)之間的距離相等。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于河海大學,未經河海大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310248083.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





