[發明專利]一種錫終端金剛石及其制備方法和場效應晶體管

在審

• 申請號: 202310245850.7
• 申請日: 2023-03-14
• 公開（公告）號: CN116344331A
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 王宏興;何適;李奉南
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H01L21/04
• 分類號: H01L21/04;H01L29/16;H01L29/78
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 馬貴香

1.一種錫終端金剛石的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，在氫終端金剛石表面上沉積SnO₂或SnO薄膜；

S2，將沉積SnO₂或SnO薄膜后的氫終端金剛石置入氫等離子體環境中進行氫化處理，得到錫終端金剛石前驅體；

S3，利用酸洗去除錫終端金剛石前驅體表面的SnO₂或SnO薄膜，獲得錫終端金剛石。

2.根據權利要求1所述的錫終端金剛石的制備方法，其特征在于，S1中，所述氫終端金剛石采用如下方法制備得到：使用氫等離子體對金剛石襯底表面進行氫化處理，形成氫終端金剛石。

3.根據權利要求2所述的錫終端金剛石的制備方法，其特征在于，所述金剛石襯底是本征金剛石或摻雜金剛石。

4.根據權利要求1所述的錫終端金剛石的制備方法，其特征在于，S1中，SnO₂或SnO薄膜的厚度大于等于10n且小于等于50nm。

5.根據權利要求1所述的錫終端金剛石的制備方法，其特征在于，S1中，在氫終端金剛石表面上沉積SnO₂或SnO薄膜采用的沉積方法為電子束蒸發、熱蒸發、磁控濺射或原子層沉積。

6.根據權利要求1所述的錫終端金剛石的制備方法，其特征在于，S2中，氫化處理溫度在700-1100℃之間。

7.根據權利要求1所述的錫終端金剛石的制備方法，其特征在于，S2中，所述氫等離子體的產生方法為微波等離子體、高壓脈沖等離子體或輝光放電等離子體。

8.根據權利要求1所述的錫終端金剛石的制備方法，其特征在于，S3中，酸洗采用的酸為硫酸、鹽酸或氫氟酸。

9.采用權利要求1-8任一項所述的制備方法得到的錫終端金剛石。

10.一種場效應晶體管，其特征在于，其包含權利要求9所述的錫終端金剛石。