[發(fā)明專利]GaN器件用陶瓷基板及其制備方法和GaN器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310245635.7
• 申請日: 2023-03-09
• 公開（公告）號: CN116230643A
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙少峰
• 申請（專利權(quán)）人: 東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司
• 主分類號: H01L23/14
• 分類號: H01L23/14;H01L23/15;H01L23/373;H01L29/20
• 代理公司: 北京慧誠智道知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11539
• 代理人: 白潔

1.一種GaN器件用陶瓷基板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

對陶瓷基板的粘結(jié)側(cè)表面進(jìn)行粗糙化處理；

在所述粗糙化處理后的陶瓷基板上淀積粘結(jié)層；

在所述粘結(jié)層上淀積生長導(dǎo)電層；

在所述導(dǎo)電層上淀積生長阻擋層；

在所述阻擋層上生長GaN器件結(jié)合層；

對所述GaN器件結(jié)合層進(jìn)行表面平坦化處理，用以承載所述GaN器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述粗糙化處理包括：

將所述陶瓷基板浸入陶瓷粗化液進(jìn)行粗化，時間為2-10min，取出后洗滌，烘干。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述淀積粘結(jié)層具體為通過低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)的方式進(jìn)行，所述粘結(jié)層為四乙基正硅酸鹽(TEOS)淀積形成的氧化硅，厚度為50-200nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層為多晶硅，通過低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)或等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積(PECVD)的方法獲得，所述多晶硅的厚度為100-200nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述多晶硅為摻雜的多晶硅，摻雜類型為n型或p型，摻雜濃度為5×10¹⁸-1×10²⁰cm^-3。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述阻擋層為氮化硅，通過低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)或等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積(PECVD)的方法獲得，所述氮化硅的厚度為100-500nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述結(jié)合層為二氧化硅，通過化學(xué)氣相淀積的方法制備得到，所述二氧化硅層的厚度為500-2000nm。

8.一種通過上述權(quán)利要求1-7任一所述的制備方法制備得到的GaN器件用陶瓷基板。

9.一種GaN器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在上述權(quán)利要求1-7任一所述的制備方法制備得到的GaN器件用陶瓷基板上，通過鍵合的方式，將用以制備GaN器件的襯底結(jié)合在所述陶瓷基板上；其中，所述襯底包括生長有GaN外延層的氮化鎵單晶、藍(lán)寶石、單晶硅或碳化硅單晶襯底；

在所述GaN外延層進(jìn)行GaN器件的制備。

10.一種通過上述權(quán)利要求9所述的制備方法制備得到的GaN器件。