[發明專利]一種基于單元陣列可調的太赫茲超材料在審
| 申請號： | 202310244813.4 | 申請日： | 2023-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN116338828A | 公開（公告）日： | 2023-06-27 |
| 發明（設計）人： | 文天龍;趙大任;文歧業;鐘智勇;張岱南 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G02B1/00 | 分類號： | G02B1/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 單元 陣列 可調 赫茲 材料 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于單元陣列可調的太赫茲超材料，其特征在于，所述太赫茲波調制器包括兩種襯底材料(石英和聚二甲基硅氧烷(PDMS))，以及形成于襯底之上的超材料結構層；所述超材料單元為環狀諧振單元，超材料結構層包括多個陣列排列的超材料單元，其中任意一個環狀諧振單元為金屬材料。
2.根據權利要求1所述的一種基于單元陣列可調的太赫茲超材料，其特征在于超材料單元采用的為環狀結構。
3.根據權利要求1所述的一種基于單元陣列可調的太赫茲超材料，其特征在于有兩層襯底層，最下面一層為彈性襯底層PDMS，厚度為1mm；另一層為石英襯底層，厚度為500μm。
4.根據權利要求1所述的一種基于單元陣列可調的太赫茲超材料，其特征在于超材料結構層厚度大于等于300nm。
5.根據權利要求1所述的一種基于單元陣列可調的太赫茲超材料，其特征在于石英襯底嵌入于PDMS襯底之中。
6.根據權利要求1所述的一種基于單元陣列可調的太赫茲超材料，其特征在于金屬材料為銅、鋁、金、銀、鎳等。
7.根據權利要求1所述的一種基于單元陣列可調的太赫茲超材料，其特征在于超材料單元的尺寸≤工作波長的十分之一。
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