[發(fā)明專(zhuān)利]一種晶圓干燥抬升方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310241893.8
• 申請(qǐng)日: 2023-03-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115954304B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 殷騏;鄭晟良
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 杭州眾硅電子科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/67
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 杭州凱知專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 33267
• 代理人: 邵志

1.一種晶圓干燥抬升方法，其特征在于，包括以下步驟：

晶圓位于液面以?xún)?nèi)，支撐機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)晶圓上升，其上升速度為V1，抬升機(jī)構(gòu)位于晶圓下方且不接觸晶圓，其上升速度為V2，則V2≤V1；

晶圓頂部接近液面，支撐機(jī)構(gòu)在保持晶圓上升的狀態(tài)下脫離晶圓，抬升機(jī)構(gòu)上升接觸晶圓，以繼續(xù)向上推動(dòng)晶圓伸出液面；

晶圓在抬升機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)下繼續(xù)上升，直至晶圓完全脫離液面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓干燥抬升方法，其特征在于：所述支撐機(jī)構(gòu)脫離晶圓時(shí)的上升速度為V11，所述抬升機(jī)構(gòu)接觸晶圓時(shí)的上升速度為V21，則V21和V11的速度差值≥5mm/s。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓干燥抬升方法，其特征在于：所述支撐機(jī)構(gòu)上升速度減小至停止，以脫離晶圓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的晶圓干燥抬升方法，其特征在于：晶圓位于液面以?xún)?nèi)，支撐機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)晶圓上升包括第一階段和第二階段，在第一階段支撐機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)晶圓勻速上升，在第二階段支撐機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)晶圓減速上升。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓干燥抬升方法，其特征在于：所述抬升機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)晶圓伸出液面，其包括第三階段和第四階段，在第三階段抬升機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)晶圓上升的速度減小，在第四階段抬升機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)晶圓上升的速度增加。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓干燥抬升方法，其特征在于：在第四階段抬升機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)晶圓上升的加速度≥20?mm/s²。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓干燥抬升方法，其特征在于：在第三階段，晶圓上升速度減小的速率呈多個(gè)折線(xiàn)形。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓干燥抬升方法，其特征在于：所述支撐機(jī)構(gòu)包括帶有晶圓卡槽的基體，設(shè)于基體側(cè)面的安裝座，及活動(dòng)設(shè)于安裝座的輥軸，干燥箱體內(nèi)沿高度方向設(shè)有第一凹槽，所述輥軸可沿第一凹槽上下移動(dòng)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓干燥抬升方法，其特征在于：所述輥軸在第一凹槽內(nèi)滾動(dòng)或滑動(dòng)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓干燥抬升方法，其特征在于：所述抬升機(jī)構(gòu)包括滑動(dòng)件，活動(dòng)設(shè)于滑動(dòng)件的轉(zhuǎn)軸，及托底，干燥箱體內(nèi)沿高度方向設(shè)有第二凹槽，所述轉(zhuǎn)軸可沿第二凹槽上下移動(dòng)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶圓干燥抬升方法，其特征在于：所述托底由塑料材質(zhì)制成。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶圓干燥抬升方法，其特征在于：所述托底包括主體和一體設(shè)置在主體端部的尖端，該尖端的寬度為0.1-0.6mm，該尖端的截面夾角為20-45°。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶圓干燥抬升方法，其特征在于：所述托底頂部為平直狀或?yàn)樵卵罓睿卵罓畹淖畲笊疃葹?.2-1mm，平直狀的頂面為平面或圓角面。