[發(fā)明專利]一種鍺中高N型摻雜淺結(jié)的方法及其應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310225688.2
• 申請日: 2023-03-10
• 公開（公告）號: CN116313757A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王塵;許怡紅;蔡藝軍;左石凱;陳鋮穎;李成
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門理工學(xué)院
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/268;H01L21/285
• 代理公司: 四川省方圓智云知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 51368
• 代理人: 嚴曉玲

1.一種鍺中高N型摻雜淺結(jié)的方法，包括：

清洗p-Ge(100)襯底；

對p-Ge(100)襯底進行磷離子注入；

向摻雜了磷離子注入層的襯底沉積金屬鎳；

對沉積金屬鎳的襯底進行脈沖激光退火，形成鎳鍺化合物；

鎳鍺化合物通過圓形傳輸線模型，即得。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜淺結(jié)的方法，其中：

所述清洗p-Ge(100)襯底包括：

丙酮、乙醇依次對p-Ge(100)襯底進行10min超聲清洗，隨后以冷去離子水清洗；

清洗后的p-Ge(100)襯底采用酸性溶液分兩次浸泡清洗，最后氮氣吹干，備用。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的摻雜淺結(jié)的方法，其中：

所述p-Ge(100)襯底電阻率為0.088Ωcm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的摻雜淺結(jié)的方法，其中：

所述酸性溶液分兩次浸泡清洗包括：

首先采用鹽酸溶液浸泡30s，以冷去離子水清洗；重復(fù)清洗及沖洗5次；

隨后再用氫氟酸溶液浸泡15s，以冷去離子水清洗；重復(fù)清洗及沖洗3次。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的摻雜淺結(jié)的方法，其中：

所述鹽酸溶液由質(zhì)量分數(shù)36％的HCl與蒸餾水按照體積比1:4混合制得；

所述氫氟酸溶液由HF與去離子水按照體積比1:50混合制得。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜淺結(jié)的方法，其中：

所述p-Ge(100)襯底表面摻雜磷離子注入層包括：

在能量為30keV、劑量為5×10¹⁵cm^-2、注入傾角7°下，進行磷離子的注入。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜淺結(jié)的方法，其中：

所述金屬鎳的沉積采用磁控濺射進行。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜淺結(jié)的方法，其中：

所述在沉積金屬鎳的表面進行脈沖激光退火包括：

激光能量密度為300mJ/cm²時，用248nmKrF準分子束激光器對樣品進行掃描式10個脈沖的激光退火。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8任一所述的摻雜淺結(jié)的方法在半導(dǎo)體器件制備中的應(yīng)用。