[發明專利]高邊自舉升壓雙N-MOS管充電控制方法、電路及充電器

在審

• 申請號: 202310223879.5
• 申請日: 2023-03-09
• 公開（公告）號: CN116191618A
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發明（設計）人: 曹雄華;劉巍;謝慶生;周明亮;李統成;肖鏗
• 申請（專利權）人: 惠州市可立克科技有限公司;惠州市可立克電子有限公司;深圳可立克科技股份有限公司;信豐可立克科技有限公司;安遠縣美景電子有限公司;安徽可立克科技有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00;H01M10/44
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀鋒

1.一種高邊自舉升壓雙N-MOS管充電控制電路，其特征在于，包括主電源充電輸出端口、高邊自舉升壓電路、高邊雙N-MOS管電路和MCU_PWM驅動電路，所述MCU_PWM驅動電路通過所述主電源輸出端口提供PWM信號，用于驅動所述高邊自舉升壓電路和所述高邊雙N-MOS管電路進行充電，當所述MCU_PWM驅動電路的輸出為非PWM信號時，所述高邊雙N-MOS管電路自動關閉，從而停止充電并防止電流倒灌。

2.如權利要求1所述的充電控制電路，其特征在于，還包括低壓差線性穩壓器LDO，所述主電源輸出端口通過所述低壓差線性穩壓器LDO提供參考電壓。

3.如權利要求1所述的充電控制電路，其特征在于，所述高邊自舉升壓電路包括自舉二極管、自舉電容和控制環路；

當所述MCU_PWM驅動電路提供的PWM信號為持續低電平時，所述自舉電容電容兩端的電壓為基準電壓，所述高邊雙N-MOS管電路關閉；當所述MCU_PWM驅動電路提供的PWM信號為持續高電平時，所述自舉電容電容兩端切換為地，所述高邊雙N-MOS管電路關閉；在所述MCU_PWM驅動電路提供的PWM信號由低電平切換為高電平的過程中，所述自舉電容電容兩端的電壓疊加到所述高邊雙N-MOS管，驅動所述高邊雙N-MOS管正常工作，進行充電；在所述MCU_PWM驅動電路提供的PWM信號由高電平切換為低電平的過程中，所述自舉電容電容再次充電，并維持所述高邊雙N-MOS管的正常工作狀態，繼續進行充電。

4.如權利要求3所述的充電控制電路，其特征在于，所述高邊雙N-MOS管電路包括通過MOS管Q1、MOS管Q2、電阻R3和電阻R4組成的共G極和S極的雙路開關電路，通過三極管Q7、二極管D3、電阻R3、電阻R4、電阻R5和電阻R10組成的雙N-MOS管的VGS放電回路；

當所述雙N-MOS管共用端的VGS電壓為低時，所述MOS管Q1和所述MOS管Q2均關閉，此時電源POWER_OUT+端口不能向電池BAT+充電，同時電池BAT+端口也不能向所述電源POWER_OUT+端口倒灌電流，當所述雙N-MOS管共用端的VGS電壓為高時，所述MOS管Q1和所述MOS管Q2均導通，此時所述電源POWER_OUT+端口向所述電池BAT+充電。

5.如權利要求3所述的充電控制電路，其特征在于，所述MCU_PWM驅動電路包括三極管(Q3、Q4、Q5、Q6)、電容(C1，C2，C3)、電阻(R1，R2，R7，R8)和穩壓二極管ZD1、二極管D2，其中，通過所述晶體三極管(Q3，Q4)、所述電阻(R7，R8)組成共基極控制電路，通過所述晶體三極管(Q5，Q4)進行控制邏輯反向，通過所述晶體三極管(Q3，Q6)、所述電阻(R1，R3)、所述二極管D2和所述電容C3組成雙N-MOS驅動控制邏輯單元；

當所述MCU_PWM驅動電路提供的PWM信號為持續低電平時，所述晶體三極管(Q3，Q6)關閉，由所述電容C3剩余能量驅動所述雙N-MOS管；當所述MCU_PWM驅動電路提供的PWM信號為持續高電平時，所述晶體三極管Q6導通，此時由所述電容(C1，C2)、所述晶體三極管Q6、所述二極管D3、所述電阻(R3，R4，R6)組成驅動電路，驅動所述雙N-MOS管。

6.如權利要求4所述的充電控制電路，其特征在于，所述充電控制電路是AC-DC輸出智能型充電控制電路或DC-DC輸出智能型充電控制電路。

7.一種充電器，其特征在于，包括如權利要求1-6任一項所述的高邊自舉升壓雙N-MOS管充電控制電路。

8.如權利要求7所述的充電器，其特征在于，所述充電器為動力電池充電器。