[發明專利]倒裝發光二極管和發光裝置

在審

• 申請號: 202310222343.1
• 申請日: 2023-03-09
• 公開（公告）號: CN116072788A
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 曾江斌;趙凱;吳光耀;王詩穎;王慶;洪靈愿;蔡吉明;張中英
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種倒裝發光二極管，包括：

半導體堆疊層，由下至上包括第一半導體層、第二半導體層以及位于兩者之間的有源層；

透明導電層，形成在半導體疊層的第二半導體層之上；

絕緣層，覆蓋所述半導體堆疊層和透明導電層，所述絕緣層設置有第一通孔，且所述第一通孔位于所述的透明導電層上；

第一焊盤電極，形成在絕緣層上并且填入所述第一通孔以實現與所述透明導電層連接；

其特征在于：從倒裝發光二極管的正上方觀察所述絕緣層的第一通孔，所述的第一通孔的形狀為：具有弧形形狀的第一端部、弧形形狀的第二端部以及連接第一端部和第二端部的中間部分，從所述第一端部向第二端部所述的第一通孔的寬度是逐漸變大的。

2.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管，其特征在于：所述條形的第一端部和第二端部均曲率半徑固定，第一端部的弧形形狀的曲率半徑大于第二端部的弧形形狀的曲率半徑。

3.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管，其特征在于：還包括位于絕緣層之上的第二焊盤電極，所述的絕緣層具有第二通孔，第二焊盤電極通過第二通孔與第一半導體層電連接。

4.根據權利要求3所述的倒裝發光二極管，其特征在于：從倒裝發光二極管的正上方觀察，所述的第二通孔呈圓形，所述絕緣層的第二通孔的中心與所述第一通孔的第一端部之間的距離大于所述絕緣層的第二通孔的中心與所述第一通孔的第二端部之間的距離。

5.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管，其特征在于：從倒裝發光二極管的正上方觀察，所述的半導體堆疊層呈長方形，具有長邊和相對長邊短的短邊。

6.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管，其特征在于：所述的第一焊盤電極在第一通孔內接觸透明導電層。

7.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管，其特征在于：所述絕緣層的第一通孔的水平投影面積占據所述的第一焊盤電極的水平投影面積的比例為10~70%。

8.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管，其特征在于，所述透明導電層還包括有自所述透明導電層上表面向下延伸至其內部的第一凹槽，所述第一凹槽的深度為所述透明導電層的厚度的1%~30%。

9.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管，其特征在于，所述第一凹槽位于所述第一通孔的下方，且所述第一凹槽的寬度小于等于所述第一通孔的寬度。

10.根據權利要求8所述的倒裝發光二極管，其特征在于，所述第一凹槽的頂部開口寬度大于所述第一凹槽的底部開口寬度。

11.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管，其特征在于，所述第一通孔的孔壁與透明導電層上表面的夾角為15°~60°。

12.根據權利要求3所述的倒裝發光二極管，其特征在于，所述絕緣層的第二通孔位于第一半導體層的上表面的一個角落上。

13.一種發光裝置，其特征在于，包括基板和若干個固定在所述基板上的如權利要求1~12中任一項所述的倒裝發光二極管。