[發明專利]片上射頻雷達發射系統、片上射頻雷達

有效

• 申請號: 202310220136.2
• 申請日: 2023-03-02
• 公開（公告）號: CN115932748B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發明（設計）人: 李博豪;尹雪松
• 申請（專利權）人: 北京大有半導體有限責任公司
• 主分類號: G01S7/282
• 分類號: G01S7/282;G01S7/35
• 代理公司: 北京勵誠知識產權代理有限公司 11647
• 代理人: 劉雅婷

1.一種片上射頻雷達發射系統，其特征在于，所述系統包括：

壓控振蕩器，包括LC諧振腔，用于輸出本振信號，其中，所述LC諧振腔中的電感復用變壓器的初級線圈；

所述變壓器，所述變壓器的次級線圈的第一端為輸出端，所述變壓器的次級線圈的第二端接地，所述變壓器用于對所述本振信號進行差分轉單端處理，并將處理后的本振信號通過所述輸出端輸出。

2.根據權利要求1所述的片上射頻雷達發射系統，其特征在于，所述LC諧振腔還包括：

第一電容陣列和第二電容陣列，所述第一電容陣列的第一端與所述第二電容陣列的第一端連接，并用以接入控制電壓，所述第一電容陣列的第二端與所述變壓器的初級線圈的第一端連接，所述第二電容陣列的第二端與所述變壓器的初級線圈的第二端連接。

3.根據權利要求2所述的片上射頻雷達發射系統，其特征在于，所述第一電容陣列包括：

第一可變電容，所述第一可變電容的一端用以接入控制電壓，所述第一可變電容的另一端與所述變壓器的初級線圈的第一端連接。

4.根據權利要求3所述的片上射頻雷達發射系統，其特征在于，所述第二電容陣列，包括：

第二可變電容，所述第二可變電容的一端用以接入控制電壓，所述第二可變電容的另一端與所述變壓器的初級線圈的第二端連接。

5.根據權利要求4所述的片上射頻雷達發射系統，其特征在于，所述第一電容陣列還包括N個第一電容，所述第二電容陣列還包括N個第二電容，N個所述第一電容與N個所述第二電容一一對應，N為正整數；其中，

每個所述第一電容的一端與所述第一可變電容的另一端連接，每個所述第一電容的另一端用過可控開關與對應的述第二電容的一端連接，每個所述第二電容的另一端與所述第二可變電容的另一端連接。

6.根據權利要求2所述的片上射頻雷達發射系統，其特征在于，所述壓控振蕩器還包括：

負阻電路，所述負阻電路的第一端與預設電源連接，所述負阻電路的第二端接地，所述負阻電路的第三端與所述初級線圈的第一端連接，所述負阻電路的第四端與所述初級線圈的第二端連接，所述負阻電路用于提供負阻。

7.根據權利要求6所述的片上射頻雷達發射系統，其特征在于，所述負阻電路包括：第一開關管、第二開關管、第三開關管和第四開關管；其中，

所述第一開關管的第一端與所述第一電容陣列的第二端連接，所述第一開關管的控制端與所述第二開關管的第一端連接，所述第一開關管的第二端與預設電源連接；

所述第二開關管的第一端還與所述第二電容陣列的第二端連接，所述第二開關管的控制端與所述第一開關管的第一端連接，所述第二開關管的第二端與所述預設電源連接；

所述第三開關管的第一端與所述第一電容陣列的第二端連接，所述第三開關管的控制端與所述第四開關管的第一端連接，所述第三開關管的第二端接地；

所述第四開關管的第一端與所述第二電容陣列的第二端連接，所述第四開關管的控制端與所述第三開關管的第一端連接，所述第四開關管的第二端接地。

8.根據權利要求7所述的片上射頻雷達發射系統，其特征在于，所述第一開關管、所述第二開關管、所述第三開關管和所述第四開關管均為MOS管。

9.根據權利要求1所述的片上射頻雷達發射系統，其特征在于，所述系統的尺寸為300×180μm²。

10.一種片上射頻雷達，其特征在于，包括如權利要求1-9中任一項所述的片上射頻雷達發射系統。