[發明專利]化合物鈉鍶硼硫和鈉鍶硼硫中遠紅外非線性光學晶體及制備方法和應用

在審

• 申請號: 202310199583.4
• 申請日: 2023-03-04
• 公開（公告）號: CN116282057A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 潘世烈;云藝涵;李廣卯
• 申請（專利權）人: 中國科學院新疆理化技術研究所
• 主分類號: C01B35/14
• 分類號: C01B35/14
• 代理公司: 烏魯木齊中科新興專利事務所(普通合伙) 65106
• 代理人: 張莉

1.一種化合物鈉鍶硼硫，其特征在于該化合物的化學式為NaSrBS₃，分子量為217.60，為鈉鍶硼硫單晶顆粒，非中心對稱結構單晶體，晶系為正交晶系，空間群為P2₁2₁2₁，晶胞參數a=?4.2542（2）?，b?=?10.8748（3）?，c?=?11.5712（5）?，Z?=?4，單胞體積V?=?535.3（0）?³。

2.一種鈉鍶硼硫中遠紅外非線性光學晶體，其特征在于該晶體的化學式為NaSrBS₃，分子量為217.60，非中心對稱結構單晶體，晶系為正交晶系，空間群為P2₁2₁2₁，晶胞參數a?=4.2542（2）?，b?=?10.8748（3）?，c?=?11.5712（5）?，Z?=?4，單胞體積V?=?535.3（0）?³。

3.如權利要求2所述的鈉鍶硼硫中遠紅外非線性光學晶體的制備方法，其特性在于按下列步驟進行：

a、在含水量和含氧氣量均0.01-0.1ppm的密閉容器充有惰性氣體為氬氣的手套箱內按Na:Sr:B:S元素摩爾比2:1:2:6，稱取單質鈉，硫化鈉、硫化鍶，單質硼、單質硫；

b、將步驟a中的單質鈉、硫化鈉、硫化鍶、單質硼和單質硫混合均勻，放入干凈的石墨坩堝中，然后裝入石英玻璃管中，將石英管在真空度為10^-5-10^-3Pa抽真空后封口；

c、將步驟b中的封好的石英管放入高溫爐中，以升溫速率為17-21℃/h升溫至750-830℃，進行保溫，時間89-96h，得到化合物；

d、將步驟c中的化合物以0.2-0.3℃/h的速率冷卻降溫，得到鈉鍶硼硫NaSrBS₃中遠紅外非線性光學晶體。

4.如權利要求3所述的鈉鍶硼硫中遠紅外非線性光學晶體的制備方法，其特征在于步驟c中真空容器升溫至810℃。

5.如權利要求3所述的鈉鍶硼硫中遠紅外非線性光學晶體的制備方法，其特征在于步驟d中冷卻降溫的速率為0.2℃/h。

6.如權利要求2所述的鈉鍶硼硫中遠紅外非線性光學晶體在制備紅外波段激光變頻晶體、紅外電-光裝置、紅外通訊器件或紅外激光制導器件中的用途。