[發明專利]一種金凸塊晶圓返工的工藝

在審

• 申請號: 202310198314.6
• 申請日: 2023-03-03
• 公開（公告）號: CN116072559A
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 李文浩;陸張瀟;王冬冬;張偉
• 申請（專利權）人: 江蘇匯成光電有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 王峰

1.一種金凸塊晶圓返工的工藝，其特征在于，包括如下步驟：

（1）Pre-clean：先使用電漿機處理晶圓，再用scrubber清洗機來清洗晶圓；

（2）去水烘烤：將晶圓放入烘箱，控制烘烤溫度為100-120℃，烘烤時間為15-30min，用于去除晶圓表面的水汽；

（3）光阻涂布：使用光阻涂布機，在晶圓表面覆蓋涂上一層16-25um厚度的光阻，使得光阻的表面高度高于金凸塊的表面高度，金凸塊位于光阻下方；

（4）曝光：使用曝光機，對晶圓上生長金凸塊的位置上方的光阻使用350-430nm波長的光進行照射，使之發生光溶解反應形成曝光區；

（5）顯影及顯影后烘烤：用顯影機和顯影液，通過顯影液浸泡晶圓去除掉曝光區的光阻，將需要移除金凸塊的位置打開開窗，再用烘箱烘烤晶圓將液體水汽烘干；

（6）電漿處理：使用電漿機，利用RF及ICP刻蝕技術將O₂激發成plasma，處理晶圓表面，增加金凸塊表面的親水性；

（7）金蝕刻：用金蝕刻機臺和金蝕刻藥液，通過金蝕刻藥液去除金凸塊及底部的金層；

（8）光阻去除：用光阻去除機和光阻去除液，通過浸泡晶圓，將光阻溶解去除掉，留下只有鈦鎢層；

（9）鈦鎢蝕刻：用鈦鎢蝕刻機和鈦鎢蝕刻液，鈦鎢蝕刻液為雙氧水，通過浸泡晶圓產生氧化反應，去除掉濺鍍在晶圓上的鈦鎢層；

（10）Scrubber清洗：使用scrubber清洗機來清洗晶圓，去除晶圓表面上的微塵顆粒。

2.根據權利要求1所述的一種金凸塊晶圓返工的工藝，其特征在于，還包括步驟（11）AOI掃描：使用AOI掃描機臺來掃描晶圓，確認晶圓返工之后的良率表現。

3.根據權利要求1或2所述的一種金凸塊晶圓返工的工藝，其特征在于，所述步驟（3）中涂布的光阻中的酚醛樹脂成分為30-40wt%，感光劑成分為1-10wt%。

4.根據權利要求1或2所述的一種金凸塊晶圓返工的工藝，其特征在于，所述步驟（7）中的金蝕刻藥液含有0.5-1.5wt%的鋁保護劑。

5.根據權利要求1或2所述的一種金凸塊晶圓返工的工藝，其特征在于，所述步驟（8）中光阻去除液中的甲基吡咯烷酮成分為40-60wt%，二甲基亞砜成分為5-15wt%。