[發(fā)明專利]一種銫束管磁屏蔽及銫原子鐘磁敏感度的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310196790.4 | 申請(qǐng)日: | 2023-03-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN116401822A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-07-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊軍;陳江;劉志棟;王驥;楊煒;成大鵬;鄭寧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘭州空間技術(shù)物理研究所 |
| 主分類號(hào): | G06F30/20 | 分類號(hào): | G06F30/20;G06F30/17;G06F119/02;G06F119/04 |
| 代理公司: | 北京理工大學(xué)專利中心 11120 | 代理人: | 高會(huì)允 |
| 地址: | 730000 甘肅*** | 國(guó)省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 銫束管磁 屏蔽 原子鐘 敏感度 優(yōu)化 設(shè)計(jì) 方法 | ||
1.一種銫束管磁屏蔽及銫原子鐘磁敏感度的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法,其特征在于,包括以下八個(gè)步驟:
步驟(一)銫束管(1)的管殼(11)的內(nèi)部中央位置處設(shè)置微波腔(2);管殼(11)內(nèi)部、微波腔(2)兩側(cè)設(shè)置態(tài)制備器(4)和態(tài)檢測(cè)器(5);
在微波腔(2)與態(tài)制備器(4)、態(tài)檢測(cè)器(5)之間設(shè)置多層磁屏蔽結(jié)構(gòu);在態(tài)制備器(4)、態(tài)檢測(cè)器(5)與管殼(11)之間設(shè)置多層磁屏蔽結(jié)構(gòu);
確定每個(gè)屏蔽層的參數(shù)初始值;
步驟(二)根據(jù)磁屏蔽設(shè)計(jì)與磁屏蔽效能之間關(guān)系,得出每層磁屏蔽結(jié)構(gòu)的磁屏蔽效能設(shè)計(jì)值、磁屏蔽內(nèi)空間的磁場(chǎng)設(shè)計(jì)值以及總的磁屏蔽效能設(shè)計(jì)值;
步驟(三)根據(jù)總的磁屏蔽效能值與C場(chǎng)區(qū)域內(nèi)剩磁之間關(guān)系,得出銫原子鐘銫束管微波腔C場(chǎng)區(qū)域內(nèi)的剩余磁場(chǎng)設(shè)計(jì)值;
步驟(四)根據(jù)銫原子鐘磁敏感度與磁場(chǎng)之間的關(guān)系,得出銫原子鐘磁敏感度設(shè)計(jì)值;
步驟(五)以銫原子鐘磁敏感度要求值及銫原子鐘使用環(huán)境的磁場(chǎng)要求值為依據(jù),根據(jù)銫原子鐘磁敏感度與磁場(chǎng)之間的關(guān)系,得出銫原子鐘銫束管微波腔C場(chǎng)區(qū)域內(nèi)的剩余磁場(chǎng)設(shè)計(jì)值;
步驟(六)判斷銫原子鐘磁敏感度設(shè)計(jì)值與要求值之間的大小;當(dāng)銫原子鐘磁敏感度的設(shè)計(jì)值小于或等于要求值時(shí),說(shuō)明磁屏蔽設(shè)計(jì)滿足銫原子鐘磁敏感度的要求,否則重新步驟(一)至(六),直到磁屏蔽設(shè)計(jì)滿足銫原子鐘磁敏感度的要求為止;
步驟(七)根據(jù)步驟(六)中磁屏蔽設(shè)計(jì)滿足銫原子鐘磁敏感度的要求的結(jié)果,步驟(二)中結(jié)果,以態(tài)制備器和態(tài)檢測(cè)器所在區(qū)域磁場(chǎng)的要求值為依據(jù),判斷態(tài)制備器和態(tài)檢測(cè)器所在區(qū)域內(nèi)磁場(chǎng)的設(shè)計(jì)值與要求值之間的大小;當(dāng)態(tài)制備器和態(tài)檢測(cè)器所在區(qū)域內(nèi)磁場(chǎng)的設(shè)計(jì)值小于等于對(duì)應(yīng)要求值時(shí),則磁屏蔽設(shè)計(jì)滿足態(tài)制備器和態(tài)檢測(cè)器的磁場(chǎng)要求,否則重新步驟(一)至(七),直到磁屏蔽設(shè)計(jì)滿足態(tài)制備器和態(tài)檢測(cè)器的磁場(chǎng)要求為止;
步驟(八)根據(jù)步驟(七)中磁屏蔽設(shè)計(jì)滿足態(tài)制備器和態(tài)檢測(cè)器的磁場(chǎng)要求的結(jié)果,對(duì)磁屏蔽設(shè)計(jì)開(kāi)展磁屏蔽及磁敏感度的優(yōu)化設(shè)計(jì),通過(guò)改變磁屏蔽參數(shù)進(jìn)行參數(shù)迭代優(yōu)化,根據(jù)步驟(一)至步驟(七),并結(jié)合銫束管或銫原子鐘的其他設(shè)計(jì)要求,確定得出一組優(yōu)化后的磁屏蔽參數(shù)設(shè)計(jì)值作為最終的磁屏蔽參數(shù)設(shè)計(jì)值。
2.如權(quán)利1要求所述的一種銫束管磁屏蔽及銫原子鐘磁敏感度的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述總的磁屏蔽效能設(shè)計(jì)值為g:
其中:g為總的磁屏蔽效能;m為磁屏蔽層的總層數(shù);H0為最外層磁屏蔽層外部的環(huán)境磁場(chǎng)大小;Hm為最內(nèi)層磁屏蔽層內(nèi)部空間的磁場(chǎng)大小,gi為第i層磁屏蔽層的磁屏蔽效能,且:
其中Hi0為第i層磁屏蔽層外部的磁場(chǎng)大小;Hi2為第i層磁屏蔽層內(nèi)空間的磁場(chǎng)大小;μi1為第i層磁屏蔽層的相對(duì)磁導(dǎo)率;μi2為第i層磁屏蔽層內(nèi)空間材料的相對(duì)磁導(dǎo)率;li1為第i層磁屏蔽層的長(zhǎng)度;li2為第i層磁屏蔽層內(nèi)空間長(zhǎng)度;Si1為第i層磁屏蔽層等效圓截面積;Si2為第i層磁屏蔽層內(nèi)空間的等效圓截面積。
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