[發(fā)明專利]一種垂直LED芯片及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310195144.6 | 申請日： | 2023-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN115863514B | 公開（公告）日： | 2023-05-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李文濤;魯洋;張星星;林瀟雄;胡加輝;金從龍 | 申請（專利權(quán)）人： | 江西兆馳半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/46 | 分類號： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 垂直 led 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種垂直LED芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一基板，并在所述基板上制備第一半導(dǎo)體層；
利用電子束蒸鍍工藝在所述第一半導(dǎo)體層上依次蒸鍍形成無機反射堆與Ag金屬層，以形成反射層，其中，所述無機反射堆包括若干交替層疊在所述第一半導(dǎo)體層上的SiO2層和TiO2層；
利用電子束蒸鍍工藝在所述反射層上依次制備Ti金屬層、Ag金屬保護(hù)層、第一鍵合金屬層；
提供一導(dǎo)電襯底，在所述導(dǎo)電襯底上制備第二鍵合金屬層，將所述第一鍵合金屬層與所述第二鍵合金屬層進(jìn)行鍵合，以形成鍵合金屬層，將所述導(dǎo)電襯底進(jìn)行翻轉(zhuǎn)并去除所述基板；
在第一半導(dǎo)體層上制備第二半導(dǎo)體層，對所述導(dǎo)電襯底進(jìn)行減薄，并在減薄后的所述導(dǎo)電襯底下方蒸鍍形成焊盤；
在所述利用電子束蒸鍍工藝在所述第一半導(dǎo)體層上依次蒸鍍形成無機反射堆與Ag金屬層，以形成反射層的步驟中，利用電子束蒸鍍工藝依次在第一預(yù)設(shè)條件、第二預(yù)設(shè)條件與第三預(yù)設(shè)條件下蒸鍍形成所述Ag金屬層，所述第一預(yù)設(shè)條件為電子束蒸鍍腔體溫度為40℃-60℃，蒸鍍速率為8?/s-10?/s，蒸鍍厚度為500?-800?，所述第二預(yù)設(shè)條件為電子束蒸鍍腔體溫度為70℃-90℃，蒸鍍速率為4?/S?-6?/S，蒸鍍厚度為300?-500?，所述第三預(yù)設(shè)條件為電子束蒸鍍腔體溫度為90℃-110℃，蒸鍍速率為1?/S?-3?/S，蒸鍍厚度為400?-700?；
所述在所述基板上制備第一半導(dǎo)體層的步驟中，在所述基板上依次制備N型GaN層、發(fā)光層、P型GaN層、電流擴展層、P型電極，以形成第一半導(dǎo)體層；
所述在第一半導(dǎo)體層上制備第二半導(dǎo)體層的步驟中，在所述N型GaN層上依次制備絕緣保護(hù)層、N型電極，以形成第二半導(dǎo)體層。
2.一種垂直LED芯片，利用如權(quán)利要求1所述的一種垂直LED芯片的制備方法，其特征在于，包括自下而上依次層疊的焊盤、導(dǎo)電襯底、鍵合金屬層、Ag金屬保護(hù)層、Ti金屬層、反射層、第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層；
其中，所述反射層包括依次層疊在所述Ti金屬層上的Ag金屬層、無機反射堆，所述無機反射堆包括若干交替層疊在所述Ag金屬層上的TiO2層和SiO2層，所述鍵合金屬層包括依次層疊在所述導(dǎo)電襯底上的第一鍵合金屬層與第二鍵合金屬層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述第一鍵合金屬層與所述第二鍵合金屬層均為Ni/Au層或Ni/Sn層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述Ag金屬保護(hù)層為Ti、TiW、Ni、Pt、Al、Au中的一種或多種組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述Ti金屬層的厚度范圍為2000?-5000?，所述Ag金屬層的厚度范圍為1200?-2000?。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-5任一所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層包括依次層疊在所述反射層上的P型電極、電流擴展層、P型GaN層、發(fā)光層、N型GaN層，所述第二半導(dǎo)體層包括依次層疊在所述第一半導(dǎo)體層上的絕緣保護(hù)層、N型電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述電流擴展層為ITO層，所述絕緣保護(hù)層為SiN層或SiO2層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的垂直LED芯片，其特征在于，所述無機反射堆上設(shè)有第一通孔，所述Ag金屬層通過所述第一通孔與所述P型電極連接，所述絕緣保護(hù)層上設(shè)有第二通孔，所述N型電極通過所述第二通孔與所述N型GaN層連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江西兆馳半導(dǎo)體有限公司，未經(jīng)江西兆馳半導(dǎo)體有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310195144.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
