[發明專利]移相器及電子裝置

在審

• 申請號: 202310193908.8
• 申請日: 2023-02-28
• 公開（公告）號: CN116073095A
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 崔釗;趙仲蘭;張鋒;劉文渠;呂志軍;董立文;孟德天;侯東飛;李禹橋;宋夢亞;李國騰;曲峰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01P1/18
• 分類號: H01P1/18
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 張翠蓬

1.一種移相器，其特征在于，所述移相器包括：第一基板、第二基板、可調諧介質、多個第一電極、多個第二電極以及多個控制開關；

所述第一基板與所述第二基板層疊設置，且所述第一基板與所述第二基板之間具有間隙，所述第一基板具有朝向所述第二基板的第一安裝面，所述第二基板具有朝向所述第一基板的第二安裝面；

所述可調諧介質位于所述第一基板與所述第二基板之間，多個所述第一電極均設置于所述第一安裝面，且多個所述第一電極間隔分布，多個所述第二電極均設置于所述第二安裝面，且多個所述第二電極間隔分布，一個所述第一電極對應一個所述第二電極，且每個所述第二電極在所述第一安裝面上的投影與對應的第一電極在所述第一安裝面上的投影至少部分重疊；

多個所述控制開關設置于所述第一安裝面，且一個所述控制開關對應一個所述第一電極，每個所述第一電極與對應的控制開關電連接。

2.根據權利要求1所述的移相器，其特征在于，所述移相器還包括多個第三電極，多個所述第三電極設置于所述第一安裝面，多個所述第三電極沿平行于所述第一安裝面的方向間隔分布，一個所述第三電極對應一個所述第一電極，且所述第三電極與所述第一電極沿所述第二安裝面至所述第一安裝面的方向之間具有間隙，且每個所述第三電極在所述第一安裝面上的投影與對應的第一電極在所述第一安裝面上的投影至少部分重疊。

3.根據權利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一安裝面上設置有層間介質層，所述控制開關部分的設置于所述層間介質層中，所述第一電極設置在所述層間介質層上。

4.根據權利要求3所述的移相器，其特征在于，所述控制開關包括有源層、非金屬層、柵極層、源極和漏極；

所述有源層、所述非金屬層以及所述柵極層均位于所述層間介質層中，且所述有源層、所述非金屬層以及所述柵極層層疊設置，且所述非金屬層位于所述柵極層以及所述有源層之間，所述非金屬層分別與所述有源層以及所述柵極層接觸，所述有源層與所述第一安裝面接觸；

所述源極和所述漏極均位于所述層間介質層上，且所述源極以及所述漏極均與所述有源層連接，所述漏極與所述第一電極電連接。

5.根據權利要求4所述的移相器，其特征在于，所述層間介質層上設置有第一絕緣層，且所述第一絕緣層與所述層間介質層接觸，所述源極以及所述漏極均位于所述第一絕緣層中，所述第一電極在所述第一絕緣層上。

6.根據權利要求5所述的移相器，其特征在于，所述第一絕緣層中設置有通孔，所述通孔設置有連接線，所述連接線的一端與所述漏極電連接，所述連接線的另一端與所述第一電極電連接。

7.根據權利要求5所述的移相器，其特征在于，所述移相器還包括多個第三電極，所述第一絕緣層上設置有有機平坦層，所述有機平坦層與所述第一絕緣層接觸，多個所述第三電極設置在所述有機平坦層中，多個所述第三電極間隔分布，一個所述第三電極對應一個所述第一電極，且每個所述第三電極在所述第一安裝面上的投影與對應的第一電極在所述第一安裝面上的投影至少部分重疊，所述第一電極在所述有機平坦層上。

8.根據權利要求7所述的移相器，其特征在于，所述有機平坦層上設置有第二絕緣層，所述第二絕緣層與所述有機平坦層接觸，所述第一電極設置在所述第二絕緣層中。

9.根據權利要求8所述的移相器，其特征在于，所述第二絕緣層上設置有第一取向層，所述第一取向層與所述第二絕緣層接觸。

10.根據權利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第二基板的第二安裝面上設置有第三絕緣層，多個所述第二電極均設置在所述第三絕緣層中。

11.根據權利要求10所述的移相器，其特征在于，所述第三絕緣層上設置有第二取向層。