[發明專利]一種基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器及其制備方法與溫度檢測方法

在審

• 申請號: 202310188244.6
• 申請日: 2023-02-28
• 公開（公告）號: CN116284067A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 高松;黃宏
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: C07F5/00
• 分類號: C07F5/00;C09K11/06;C09K11/02;G01K11/20
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 陳文姬

1.一種基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器，其特征在于，所述1R2R-ZnSm配合物由席夫堿配體R,R-H₂L與Zn²⁺和Sm³⁺通過配位方式結晶在一個分子中得到；所述1R2R-ZnSm配合物的分子結構式為[R,R-ZnLSm(OAc)(NO₃)₂]。

2.根據權利要求1所述的一種基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器，其特征在于，所述基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器含有兩種不同源的熒光發射峰，分別為Zn²⁺的熒光發射峰和Sm³⁺的熒光發射峰；所述Sm³⁺的熒光發射峰在644nm處的強度I₆₄₄與所述Zn²⁺的熒光發射峰在485nm處的強度I₄₈₅的比值I₆₄₄/I₄₈₅隨著溫度的變化呈現曲線關系。

3.根據權利要求1所述的一種基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器，其特征在于，適用的溫度區間為233K-333K。

4.根據權利要求1所述的一種基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器，其特征在于，在263K-333K的溫度區間內，ln(I₆₄₄/I₄₈₅)隨著溫度的倒數1/T的變化呈線性關系。

5.權利要求1～4任一項所述的一種基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將席夫堿配體R,R-H₂L與硝酸釤、乙酸鋅置于反應容器中，加入甲醇后密閉反應容器，在金屬浴中加熱反應，待生成晶體后，過濾出晶體，得到1R2R-ZnSm配合物，即得到基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器。

6.根據權利要求5所述的一種基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器的制備方法，其特征在于，所述席夫堿配體R,R-H₂L與硝酸釤、乙酸鋅的摩爾比為1：1：1。

7.根據權利要求5所述的一種基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器的制備方法，其特征在于，所述在金屬浴中加熱反應，具體為：

在金屬浴中加熱至60℃-80℃，反應過夜。

8.根據權利要求5～7任一項所述的一種基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：

將所述1R2R-ZnSm配合物制備成薄膜，得到基于1R2R-ZnSm-PMMA薄膜的比率型溫度傳感器。

9.根據權利要求8所述的一種基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器的制備方法，其特征在于，所述將所述1R2R-ZnSm配合物制備成薄膜，具體為：

將基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器和PMMA混合，甲苯為溶劑，室溫攪拌，得到混合物，將玻璃板放置于65～75℃的熱臺，將混合物均勻的涂在玻璃板上，待其自然脫落后，得到1R2R-ZnSm-PMMA薄膜，即得到基于1R2R-ZnSm-PMMA薄膜的比率型溫度傳感器。

10.權利要求1～4任一項所述的一種基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器的溫度檢測方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)、在233K-333K范圍內的不同溫度下，測定基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器在365nm激發下的熒光強度I₄₈₅和I₆₄₄；

(2)、在233-333K的溫度區間內，將熒光強度的比值I₆₄₄/I₄₈₅與溫度進行曲線擬合，得到標準回歸方程；

(3)、使待測樣品與基于1R2R-ZnSm配合物的比率型溫度傳感器充分接觸，溫度穩定后，在365nm激發下，測定待測樣品的熒光強度I₄₈₅和I₆₄₄，將熒光強度的比值I₆₄₄/I₄₈₅與標準回歸方程對比，得到待測樣品的溫度。