[發(fā)明專利]一種基于共口徑結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的雙頻段寬帶強(qiáng)耦合陣列天線在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310185209.9 | 申請(qǐng)日： | 2023-03-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN116093611A | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-05-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳益凱;賈凌鈞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 成都益為創(chuàng)達(dá)科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01Q1/52 | 分類號(hào)： | H01Q1/52;H01Q1/50;H01Q1/38;H01Q5/20;H01Q5/307;H01Q5/50;H01Q23/00;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商標(biāo)專利事務(wù)所(有限合伙) 51213 | 代理人： | 羅偉 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 口徑 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 雙頻 寬帶 耦合 陣列 天線 | ||
1.一種基于共口徑結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的雙頻段寬帶強(qiáng)耦合偶極子陣列天線，包括上層地板(1)、下層地板(2)、饋電接頭(3)、低頻陣列PCB(4)、高頻陣列PCB(5)、高頻饋電結(jié)構(gòu)(6)、高頻阻抗匹配層(7)、集成電阻(8)，其特征在于：所述上層地板(1)包括尼龍柱通孔(1.1)、高頻陣列插槽(1.2)、低頻陣列插槽(1.3)；所述下層地板(2)包括尼龍柱通孔(2.1)、接頭通孔(2.2)；所述上層地板(1)與下層地板(2)之間由尼龍柱固定相對(duì)位置與高度；所述低頻陣列PCB(4)穿過(guò)低頻陣列插槽(1.3)插入地板之間；所述饋電接頭(3)內(nèi)芯與高頻饋電結(jié)構(gòu)(6)、低頻陣列PCB(4)通過(guò)焊接電連接；所述饋電接頭(3)外殼穿過(guò)接頭通孔(2.2)通過(guò)銅箔與下層地板(2)電連接；所述高頻饋電結(jié)構(gòu)(6)穿過(guò)高頻陣列插槽(1.2)插入地板之間；所述高頻陣列PCB(5)通過(guò)焊接與高頻饋電結(jié)構(gòu)(6)電連接；所述高頻阻抗匹配層(7)為羅杰斯RT5880介質(zhì)板材，厚度為1.524mm，其覆蓋于高頻陣列PCB(5)之上，并通過(guò)尼龍柱固定；所述集成電阻(8)作為功分器隔離電阻分別焊接于低頻陣列PCB(4)和高頻饋電結(jié)構(gòu)(6)之上；所述集成電阻(8)阻值為200Ω，其大小為1.6mm×0.8mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于共口徑結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的雙頻段寬帶強(qiáng)耦合偶極子陣列天線，其特征在于：所述低頻陣列PCB(4)包括低頻偶極子(4.1)、蜿蜒型結(jié)構(gòu)(4.1.1)、短路線(4.2)、低頻饋電結(jié)構(gòu)(4.3)、低頻介質(zhì)基板(4.4)、低頻功分器(4.5)；所述低頻偶極子(4.1)通過(guò)短路線(4.2)與地電連通；所述蜿蜒型結(jié)構(gòu)(4.1.1)保證低頻電流流通的同時(shí)降低低高頻端口間耦合；所述低頻饋電結(jié)構(gòu)(4.3)為微帶漸變線，實(shí)現(xiàn)阻抗變換及平衡饋電；所述低頻介質(zhì)基板(4.4)為羅杰斯RT5880介質(zhì)板材，其厚度為0.787mm；所述功分器(4.5)連接饋電接頭(3)與低頻饋電結(jié)構(gòu)(4.3)并實(shí)現(xiàn)50Ω到100Ω阻抗變換。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于共口徑結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的雙頻段寬帶強(qiáng)耦合偶極子陣列天線，其特征在于：所述高頻陣列PCB(5)包括高頻偶極子介質(zhì)基板(5.1)和高頻偶極子(5.2)；所述高頻偶極子介質(zhì)基板(5.1)為羅杰斯RT5880介質(zhì)板材，其厚度為0.254mm，其上印刷高頻偶極子(5.2)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于共口徑結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的雙頻段寬帶強(qiáng)耦合偶極子陣列天線，其特征在于：所述高頻饋電結(jié)構(gòu)(6)包括marchand巴倫(6.1)和高頻功分器(6.2)；所述marchand巴倫(6.1)包括介質(zhì)基板(6.1.1)、粘結(jié)層(6.1.2)、金屬通孔(6.1.3)、巴倫接地層(6.1.4)、巴倫內(nèi)芯(6.1.5)；所述介質(zhì)基板(6.1.1)為羅杰斯RT5880介質(zhì)板材，其厚度為0.254mm；所述粘結(jié)層(6.1.2)為prepreg材料，其厚度為0.116mm；所述巴倫接地層(6.1.4)通過(guò)金屬通孔(6.1.3)相互電連接；所述巴倫接地層(6.1.4)通過(guò)導(dǎo)電銀漿及銅箔與上層地板(1)電連接。
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