[發(fā)明專利]一種電子束光刻方法和半導體器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310181916.0 | 申請日： | 2023-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN116047873A | 公開（公告）日： | 2023-05-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 徐劍;韋亞一;楊尚 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京天達知識產(chǎn)權(quán)代理事務所有限公司 11386 | 代理人： | 張同玲 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電子束光刻 方法 半導體器件 | ||
1.一種電子束光刻方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
步驟A：在襯底(1)上形成光刻膠層(2)；
步驟B：通過曝光和顯影在光刻膠層(2)上形成器件圖形(3)和輔助圖形(4)，其中，所述器件圖形(3)和所述輔助圖形(4)采用不同等級的劑量曝光，使輔助圖形(4)在顯影工藝中不被完全顯影，進而使輔助圖形(4)在后續(xù)刻蝕過程中不被刻蝕到襯底(1)上；
步驟C：刻蝕，在襯底(1)上形成器件圖形(3)；
步驟D：去除襯底(1)表面殘留的光刻膠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟B中，采用灰度曝光技術(shù)使所述器件圖形(3)和所述輔助圖形(4)進行不同等級的劑量曝光。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，步驟B中，所述器件圖形(3)采用大于等于顯影閾值的劑量曝光，所述輔助圖形(4)采用小于顯影閾值的劑量曝光。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，步驟B中，曝光所述輔助圖形(4)的劑量使得所述輔助圖形(4)顯影后仍然存在的光刻膠厚度能夠滿足在后續(xù)刻蝕過程中輔助圖形(4)不被刻蝕到襯底(1)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，步驟B中，曝光所述輔助圖形(4)的劑量使得所述輔助圖形(4)顯影后仍然存在的光刻膠厚度大于等于后續(xù)刻蝕過程中輔助圖形(4)被刻蝕的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟A還包括：將涂有光刻膠層(2)的襯底(1)烘烤后冷卻至室溫。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟B中，所述曝光在電子束光刻機中進行。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟C中，所述刻蝕在等離子刻蝕機中進行。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟D中，采用丙酮浸泡方式去除襯底(1)表面殘留的光刻膠。
10.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件采用權(quán)利要求1-9所述的電子束光刻方法制備得到。
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