[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于硫化鉍薄膜的晶體管型光電探測(cè)器及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310170060.7
• 申請(qǐng)日: 2023-02-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116322246A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林乾乾;楊玉潔
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H10K71/16
• 分類(lèi)號(hào): H10K71/16;H10K30/10;H10K71/40;C23C18/12;C23C14/24;C23C14/16;C23C14/18
• 代理公司: 武漢智權(quán)專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42225
• 代理人: 張凱

1.一種基于硫化鉍薄膜的晶體管型光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基底(1)上沉積介電層(2)；

將Bi₂S₃前驅(qū)溶液旋涂至所述介電層(2)上，在100～300℃下退火，形成Bi₂S₃薄膜(3)；

在所述Bi₂S₃薄膜(3)上蒸鍍?cè)绰╇姌O(4)。

2.如權(quán)利要求1所述的基于硫化鉍薄膜的晶體管型光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，Bi₂S₃前驅(qū)溶液中鉍和硫的摩爾比為1：(1.5～2.5)。

3.如權(quán)利要求1所述的基于硫化鉍薄膜的晶體管型光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，Bi₂S₃前驅(qū)溶液中還包括Na⁺或Ag⁺。

4.如權(quán)利要求3所述的基于硫化鉍薄膜的晶體管型光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，Bi₂S₃前驅(qū)溶液中，Na⁺或Ag⁺的濃度為鉍和硫總濃度的1％～10％。

5.如權(quán)利要求1所述的基于硫化鉍薄膜的晶體管型光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，“在100～300℃下退火”具體包括：

在惰性氣氛下，進(jìn)行預(yù)退火處理，預(yù)退火溫度為60℃～150℃，預(yù)退火時(shí)間為5～50min；

然后在空氣中進(jìn)行后退火處理，后退火溫度為200℃～350℃，后退火時(shí)間為5～30min。

6.如權(quán)利要求1所述的基于硫化鉍薄膜的晶體管型光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，所述介電層(2)采用SiO₂、Ta₂O₅、Al₂O₃中的至少一種；

和/或，所述基底(1)采用Si或者ITO。

7.如權(quán)利要求1所述的基于硫化鉍薄膜的晶體管型光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，所述介電層(2)的厚度為50～300nm；

和/或，所述Bi₂S₃薄膜(3)的厚度為5～60nm；

和/或，所述源漏電極(4)的厚度為50～200nm。

8.如權(quán)利要求1所述的基于硫化鉍薄膜的晶體管型光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，“在所述Bi₂S₃薄膜(3)上蒸鍍?cè)绰╇姌O(4)”具體包括：

在Bi₂S₃薄膜(3)上蒸鍍金屬，形成源漏電極(4)；

或者，

在Bi₂S₃薄膜(3)上先蒸鍍C60或MoO_x，然后蒸鍍金屬，形成源漏電極(4)。

9.如權(quán)利要求8所述的基于硫化鉍薄膜的晶體管型光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，所述金屬包括Ag、Au、Cu或者Al。

10.一種基于硫化鉍薄膜的晶體管型光電探測(cè)器，其特征在于，其采用如權(quán)利要求1-9任一所述的方法制備得到。