[發(fā)明專利]一種用于調(diào)試磁控濺射法制備的薄膜均勻性的方法

在審

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• 申請日: 2023-02-24
• 公開（公告）號: CN116162911A
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發(fā)明（設計）人: 李兆營;朱景春;李萌萌
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽光智科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 北京天盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11421
• 代理人: 肖小龍

1.一種用于調(diào)試磁控濺射法制備的薄膜均勻性的方法，其特征在于，包括：

S1、準備基底；

S2、采用磁控濺射法在基底表面濺射鍍所需厚度的薄膜；

S3、測試所制備的薄膜電阻均勻性，制備電阻分布圖；

S4、根據(jù)電阻分布圖改變靶基距，若電阻分布為中間低、四周高時，則降低靶基距,電阻分布為中間高、四周低時，則增大靶基距；

S5、更換新的基底，重復步驟S2，并測試制備的所需厚度的薄膜的電阻均勻性；

S6、根據(jù)步驟S3和S5得到的電阻均勻性、目標電阻均勻性及步驟S4靶基距的調(diào)節(jié)值計算出下一次靶基距的調(diào)節(jié)值并調(diào)節(jié)靶基距；

S7、重復步驟S5，若所測試的電阻均勻性達到目標電阻均勻性范圍，則對應的靶基距即可用于后續(xù)磁控濺射法生產(chǎn)薄膜；若所測試的電阻均勻性仍無法達到目標電阻均勻性范圍要求，則繼續(xù)重復步驟S6和S5，直至確認所制備的所需厚度薄膜的電阻均勻達到目標電阻均勻性范圍，從而確定采用磁控濺射法生產(chǎn)薄膜的靶基距。

2.如權(quán)利要求1所述的用于調(diào)試磁控濺射法制備的薄膜均勻性的方法，其特征在于，步驟S4中，第一次靶基距的調(diào)節(jié)值為1-5mm。

3.如權(quán)利要求1所述的用于調(diào)試磁控濺射法制備的薄膜均勻性的方法，其特征在于，步驟S6中，設靶基距的調(diào)節(jié)的次數(shù)為第n次，其中n≥2，則

第n次靶基距的調(diào)節(jié)值=[（Rs_n-1-Rs）/(Rs_n-2-Rs_n-1)]*第n-1次靶基距的調(diào)節(jié)值，

其中，Rs為目標電阻均勻性，Rs_n-1、Rs_n-2分別為第n-1次、第n-2次測量的電阻均勻性，其中Rs₀為第一次調(diào)節(jié)靶基距前制備的薄膜電阻均勻性。

4.如權(quán)利要求1或2所述的用于調(diào)試磁控濺射法制備的薄膜均勻性的方法，其特征在于，所述所需厚度的薄膜的厚度為5.0nm-1.0μm。

5.如權(quán)利要求1或2所述的用于調(diào)試磁控濺射法制備的薄膜均勻性的方法，其特征在于，步驟S1中，所述基底準備包括：準備潔凈的基底材料，并在所述基底材料表面鍍襯底層。

6.如權(quán)利要求5所述的用于調(diào)試磁控濺射法制備的薄膜均勻性的方法，其特征在于，通過PECVD的方式鍍襯底層；所述襯底層為氧化硅襯底層、氮化硅襯底中的至少一種；所述基底材料為硅片、玻璃、陶瓷或塑料材質(zhì)。

7.一種采用磁控濺射法大規(guī)模生產(chǎn)薄膜材料的方法，其特征在于，在進行大規(guī)模生產(chǎn)薄膜材料前，還包括采用如權(quán)利要求1-6任意一項所述的方法來確定合適的靶基距。