[發明專利]太陽能電池BSG清洗方法及TOPcon電池制備方法

在審

• 申請號: 202310163066.1
• 申請日: 2023-02-14
• 公開（公告）號: CN116031142A
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 吳孫弟;潘紅軍;康忠平;俞益波;盧玉榮
• 申請（專利權）人: 正泰新能科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王曉坤

1.一種太陽能電池BSG清洗方法，其特征在于，包括：

利用槽體中盛有的第一濃度的HF對硼擴散后的硅片進行槽式酸洗，以清洗所述硅片表面的BSG層；

對槽式酸洗后的所述硅片進行水洗和烘干；

利用第二濃度的HF對烘干后的所述硅片進行鏈式酸洗，以清洗所述硅片背面及側面剩余的BSG層。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池BSG清洗方法，其特征在于，所述第一濃度小于所述第二濃度。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池BSG清洗方法，所述第一濃度為5％-10％，所述第二濃度為20％-25％。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池BSG清洗方法，其特征在于，在利用第二濃度的HF對烘干后的所述硅片進行鏈式酸洗，以清洗所述硅片背面及側面剩余的BSG層前，還包括：

測量烘干后的所述硅片表面多個采樣點處的反射率；

判斷各所述采樣點處的反射率是否均在設定反射率范圍內；

若存在有采樣點處的反射率低于所述設定反射率范圍內的最小值，則返回所述利用槽體中盛有的第一濃度的HF對硼擴散后的硅片進行槽式酸洗，以清洗所述硅片表面的BSG層的步驟；

若各所述采樣點處的反射率均在所述設定反射率范圍內，則執行所述利用第二濃度的HF對烘干后的所述硅片進行鏈式酸洗，以清洗所述硅片背面及側面剩余的BSG層的步驟。

5.根據權利要求3所述的太陽能電池BSG清洗方法，其特征在于，所述槽式酸洗的時間長度為180s±10s，所述鏈式酸洗的工藝參數為(3.6m±0.5m)/min，所述槽式酸洗及所述鏈式酸洗的溫度均為18℃-25℃。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池BSG清洗方法，其特征在于，所述槽體中還包含有HCL，在利用槽體中盛有的第一濃度的HF對硼擴散后的硅片進行槽式酸洗時，還包括：

利用HCL對所述硅片進行清洗；

和/或，在第二濃度的HF對烘干后的所述硅片進行鏈式酸洗時，還包括：

利用HCL對所述硅片進行清洗。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池BSG清洗方法，其特征在于，采用第二濃度的HF對烘干后的所述硅片進行鏈式酸洗，包括：

采用設置在酸洗槽中的所述第二濃度的HF對烘干后的所述硅片進行鏈式酸洗。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池BSG清洗方法，其特征在于，采用設置在酸洗槽中的所述第二濃度的HF對烘干后的所述硅片進行鏈式酸洗，包括：

采用設置在第一酸洗槽中的所述第二濃度的HF對烘干后的所述硅片進行一次鏈式酸洗；

采用設置在第二酸洗槽中的所述第二濃度的HF對一次鏈式酸洗后的所述硅片進行二次鏈式酸洗。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池BSG清洗方法，其特征在于，在采用第二濃度的HF對烘干后的所述硅片進行鏈式酸洗，以清洗所述硅片背面及側面剩余的BSG層后，還包括：

對鏈式酸洗后的所述硅片進行水洗和烘干。

10.根據權利要求1所述的太陽能電池BSG清洗方法，其特征在于，在利用第二濃度的HF對烘干后的所述硅片進行鏈式酸洗，以清洗所述硅片背面及側面剩余的BSG層時，還包括：

利用所述第二濃度的HF清洗所述硅片背面及側面的富硼層。

11.一種N型TOPcon電池制備方法，其特征在于，包括：

對N型的硅片進行制絨，以在所述硅片表面制備金字塔絨面；

在所述硅片的金字塔絨面上進行硼擴散；

采用如權利要求1至10任一項所述的太陽能電池BSG清洗方法清洗硼擴散后的硅片表面的BSG層；

對所述硅片背面進行拋光，在拋光后的所述硅片背面制備鈍化接觸層；

對所述硅片進行繞鍍清洗，在所述硅片的正面制備氧化鋁薄膜及氮氧化硅薄膜；

在所述硅片背面制備氮化硅薄膜；

在所述硅片正面及背面制備電極。