[發明專利]一種DRAM存儲系統性能模型的建模方法、終端及介質

在審

• 申請號: 202310163040.7
• 申請日: 2023-02-24
• 公開（公告）號: CN116107857A
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發明（設計）人: 陳浩;宋莉莉;張祥建
• 申請（專利權）人: 成都視海芯圖微電子有限公司
• 主分類號: G06F11/34
• 分類號: G06F11/34
• 代理公司: 北京酷愛智慧知識產權代理有限公司 11514
• 代理人: 阮建

1.一種DRAM存儲系統性能模型的建模方法，其特征在于，包括：

S1:搭建含有訪存邏輯、總線、DRAM控制器和phy/顆粒模型的最小訪問系統；

S2:根據修改訪存事務生成邏輯和控制總線接口信號的數值以構造訪存場景進行仿真，所述訪存場景下影響訪存性能的因素為訪存自變量，所述訪存場景為只讀場景；

S3:計算出只讀場景下的第一利用率，整理生成第一利用率查找表，對第一利用率進行建模做函數擬合，計算出第一函數系數，得到第一利用率與訪存自變量的關系式；

S4:在只讀場景下改變訪存自變量，重新仿真得到第二利用率，整理生成第二利用率查找表，對第二利用率進行建模做函數擬合，計算出第二函數系數，得到第二利用率與訪存自變量的關系式；

S5:重復執行步驟S4，得到多個自變量的利用率函數；

S6：在預測真實訪存場景時，利用所述多個自變量的利用率函數計算出多個預測利用率，將得到的多個預測利用率進行比較，把最小的利用率作為預測讀利用率；

S7:根據理論性能除以預測讀利用率得到只讀場景下的預測性能值。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對第一利用率進行建模做函數進行擬合，計算出第一函數系數，得到第一利用率與訪存自變量的關系式的具體方法包括:

找出第一利用率與訪存自變量的變化規律；

利用二次函數對第一利用率與訪存自變量進行擬合，得出二次函數的系數，得到第一利用率與訪存自變量的關系式。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對第一利用率進行建模做函數進行擬合，計算出第一函數系數，得到第一利用率與訪存自變量的關系式的具體方法包括:

找出第一利用率與訪存自變量的變化規律；

利用多項式函數對第一利用率與訪存自變量進行擬合，得出多變量的系數，得到第一利用率與訪存自變量的關系式。

4.一種DRAM存儲系統性能模型的建模方法，其特征在于，包括：

S1:搭建含有訪存邏輯、總線、DRAM控制器和phy/顆粒模型的最小訪問系統；

S2:根據修改訪存事務生成邏輯和控制總線接口信號的數值以構造訪存場景進行仿真，所述訪存場景下影響訪存性能的因素為訪存自變量，所述訪存場景為只讀場景；

S3:計算出只寫場景下的第三利用率，整理生成第三利用率查找表，對第三利用率進行建模做函數進行擬合，計算出第三函數系數，得到第三利用率與訪存自變量的關系式；

S4：在只寫場景下改變訪存自變量，重新仿真得到第四利用率，整理生成第四利用率查找表，對第四利用率進行建模做函數擬合，計算出第四函數系數，得到第四利用率與訪存自變量的關系式；

S5:重復執行步驟S4，得到多個自變量的利用率函數；

S6：在預測真實訪存場景時，利用所述多個自變量的利用率函數計算出多個預測利用率，將得到的多個預測利用率進行比較，把最小的利用率作為預測寫利用率；

S7:根據理論性能除以預測寫利用率得到只寫場景下的預測性能值。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述對第三利用率進行建模做函數進行擬合，計算出第三函數系數，得到第三利用率與訪存自變量的關系式的具體方法包括:

找出第三利用率與訪存自變量的變化規律；

利用二次函數對第三利用率與訪存自變量進行擬合，得出二次函數的系數，得到第三利用率與訪存自變量的關系式。

6.如權利要求4所述的方法，其特征在于，其特征在于，所述對第三利用率進行建模做函數擬合，計算出第三函數系數，得到第三利用率與訪存自變量的關系式的具體方法包括:

找出第三利用率與訪存自變量的變化規律；

利用多項式函數對第三利用率與訪存自變量進行擬合，得出多變量的系數，得到第三利用率與訪存自變量的關系式。