[發明專利]提高紅外晶片表面薄膜潔凈度的沉積方法

在審

• 申請號: 202310152332.0
• 申請日: 2023-02-14
• 公開（公告）號: CN116103627A
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發明（設計）人: 譚必松;黃先念;宋魯霞;龔漢紅;杜宇;毛劍宏
• 申請（專利權）人: 浙江玨芯微電子有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/02
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 鐘玉敏

1.一種提高紅外晶片表面薄膜潔凈度的沉積方法，其特征在于，包括：

提供基片臺及至少兩個固定單元，所述基片臺包括鐵磁性材質，所述固定單元設有至少一吸附面及至少一固定面，所述固定面與所述吸附面的夾角大于或等于90°，所述吸附面包括磁體材質；

提供紅外晶片，所述紅外晶片呈多邊形狀且置于所述基片臺上，至少兩個所述固定單元的固定面與所述紅外晶片的至少兩個端面相接觸并利用所述固定單元的吸附面將所述紅外晶片吸附固定于所述基片臺上；

對所述紅外晶片執行吹掃；以及，

將固定所述紅外晶片的基片臺移至沉積設備內執行沉積工藝，以在所述紅外晶片的表面沉積所述薄膜。

2.根據權利要求1所述的沉積方法，其特征在于，所述薄膜包括金屬膜層或介質膜層。

3.根據權利要求1所述的沉積方法，其特征在于，所述沉積工藝包括蒸鍍工藝或濺射鍍工藝。

4.根據權利要求1所述的沉積方法，其特征在于，所述固定面包括柔性材質。

5.根據權利要求1所述的沉積方法，其特征在于，所述固定單元還包括頂面及內側面，所述頂面為所述吸附面相對的面，所述內側面連接所述頂面及所述固定面。

6.根據權利要求5所述的沉積方法，其特征在于，所述內側面垂于所述吸附面。

7.根據權利要求6所述的沉積方法，其特征在于，所述固定面在垂直于所述吸附面上的高度小于或等于所述紅外晶片的厚度。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的沉積方法，其特征在于，所述固定單元呈L型，包括第一部及與所述第一部連接的第二部，所述第一部與所述第二部均包括所述吸附面及所述固定面，所述第一部及所述第二部的固定面與所述紅外晶片的相鄰兩個所述端面相接觸，且所述第一部及所述第二部的角度小于或等于所述紅外晶片的相鄰兩個端面的角度。

9.根據權利要求8所述的沉積方法，其特征在于，所述第一部與所述第二部的角度為80°～100°。

10.根據權利要求1至7中任一項所述的沉積方法，其特征在于，所述固定單元呈一字型，至少兩個呈一字型的所述固定單元與所述紅外晶片的至少兩個相對的端面相接觸以固定所述紅外晶片。