[發(fā)明專利]基于高溫超導(dǎo)的聚變堆超導(dǎo)磁體系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310152123.6 | 申請日: | 2023-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN116072372A | 公開(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭金星 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院 |
| 主分類號: | H01F6/00 | 分類號: | H01F6/00;H01F6/06;G21B1/05 |
| 代理公司: | 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人: | 高寧馨 |
| 地址: | 230031 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 高溫 超導(dǎo) 聚變 磁體 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明涉及一種基于高溫超導(dǎo)的聚變堆超導(dǎo)磁體系統(tǒng),屬于核聚變和超導(dǎo)磁體技術(shù)領(lǐng)域,該聚變堆超導(dǎo)磁體系統(tǒng)包括環(huán)向場磁體系統(tǒng)、中心螺管磁體系統(tǒng)、極向場磁體系統(tǒng)。環(huán)向場磁體系統(tǒng)全部由高溫超導(dǎo)CICC導(dǎo)體繞制而成,可產(chǎn)生15T以上的環(huán)向磁場,對等離子體起到約束作用;的中心螺管磁體系統(tǒng)由低溫超導(dǎo)CICC和高溫超導(dǎo)CICC導(dǎo)體共同繞制而成,通過產(chǎn)生磁通變化擊穿等離子體,進(jìn)而形成等離子體電流,為等離子體提供加熱,同時與極向場磁體系統(tǒng)共同產(chǎn)生極向磁場,用以維持等離子體平衡;高溫超導(dǎo)CICC導(dǎo)體由若干高溫超導(dǎo)ReBCO集束線纜超導(dǎo)纜組合而成;本發(fā)明創(chuàng)新性好,性價比高,具有很強(qiáng)的實(shí)用性;對降低聚變堆裝置體積和提高裝置運(yùn)行功率有著極其重要的促進(jìn)作用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及核聚變和超導(dǎo)磁體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于高溫超導(dǎo)的聚變堆超導(dǎo)磁體系統(tǒng)。
背景技術(shù)
清潔能源—聚變能的使用是人類的夢想之一,但其產(chǎn)生所面臨的挑戰(zhàn)是非常復(fù)雜的。磁約束聚變被認(rèn)為是最有可能實(shí)現(xiàn)聚變能應(yīng)用的途徑之一,托卡馬克也成為了磁約束聚變裝置的主流研究形式。中國成功建立并運(yùn)行世界首個全超導(dǎo)非圓截面托卡馬克EAST裝置,參與國際熱核聚變實(shí)驗(yàn)堆ITER裝置建設(shè),開展中國聚變工程實(shí)驗(yàn)堆(CFETR)工程設(shè)計工作。同時,世界主要大國也都開始了下一代聚變堆的預(yù)研和設(shè)計工作。超導(dǎo)技術(shù)成功應(yīng)用于產(chǎn)生強(qiáng)磁場的托卡馬克磁體上是磁約束聚變研究的一項(xiàng)重大突破,超導(dǎo)磁體作為磁約束聚變裝置的核心部件,其磁場強(qiáng)度對聚變功率和高參數(shù)等離子體運(yùn)行起著決定性作用。下一代聚變堆的顯著特點(diǎn)是對磁場要求高,其中環(huán)向場磁體系統(tǒng)和中心螺管磁體系統(tǒng)的最高磁場都將超過15T,這給磁體設(shè)計,特別是導(dǎo)體選擇帶來了巨大的挑戰(zhàn)。
超導(dǎo)磁體系統(tǒng)是聚變堆的重要組成部分,其作用是約束、控制、平衡和加熱裝置里的等離子體,保證磁體和聚變裝置的安全穩(wěn)定運(yùn)行。但目前聚變裝置磁體系統(tǒng)主要采用NbTi或Nb3Sn低溫管內(nèi)電纜導(dǎo)體(Cable?In?Conduit?Conductor,CICC)進(jìn)行繞制,因受制于低溫超導(dǎo)線材的臨界磁場特性限制,其磁場強(qiáng)度普遍低于15T,磁體運(yùn)行性能不高,且徑向空間占用比較大,無法滿足緊湊型和高功率聚變堆超導(dǎo)磁體系統(tǒng)使用。本發(fā)明針對上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),發(fā)明一種基于高溫超導(dǎo)的聚變堆磁體系統(tǒng),可為聚變堆提供高場強(qiáng),同時可降低磁體和聚變堆徑向空間尺寸,提高聚變堆運(yùn)行功率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了一種基于高溫超導(dǎo)的聚變堆超導(dǎo)磁體系統(tǒng)。
為達(dá)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
本發(fā)明第一方面提供了一種基于高溫超導(dǎo)的聚變堆超導(dǎo)磁體系統(tǒng),所述聚變堆超導(dǎo)磁體系統(tǒng)包括環(huán)向場磁體系統(tǒng)、中心螺管磁體系統(tǒng)、極向場磁體系統(tǒng),
所述環(huán)向場磁體系統(tǒng)由高溫超導(dǎo)CICC導(dǎo)體繞制而成,以對等離子起到約束作用;
所述中心螺管磁體系統(tǒng)由低溫超導(dǎo)CICC導(dǎo)體和高溫超導(dǎo)CICC導(dǎo)體共同繞制而成,通過所述中心螺管磁體系統(tǒng)產(chǎn)生磁通變化擊穿等離子體,進(jìn)而形成等離子體電流,為等離子體提供加熱,同時與極向場磁體系統(tǒng)共同產(chǎn)生極向磁場,用以維持等離子體平衡;
所述極向場超導(dǎo)磁體系統(tǒng)由若干不同尺寸的極向場磁體組成,且固定于所述環(huán)向場磁體系統(tǒng)的外側(cè)圓弧段上,且所述極向場磁體包括線圈繞組,所述線圈繞組由若干超導(dǎo)纜直接繞制而成,且所述線圈繞組的外側(cè)上設(shè)置有餅間超導(dǎo)接頭以及饋線超導(dǎo)接頭。
進(jìn)一步地,本發(fā)明的一個較佳實(shí)施例中,所述聚變堆超導(dǎo)磁體系統(tǒng)安裝于杜瓦瓶的內(nèi)部,且所述杜瓦瓶的內(nèi)部安裝有包層以及若干真空室,且所述聚變堆超導(dǎo)磁體系統(tǒng)與所述包層進(jìn)行連接,且在所述聚變堆超導(dǎo)磁體系統(tǒng)的底部上安裝有偏濾器以及冷屏。
進(jìn)一步地,本發(fā)明的一個較佳實(shí)施例中,其中,所述聚變堆超導(dǎo)磁體系統(tǒng)還包括環(huán)向場磁體支撐系統(tǒng),所述環(huán)向場磁體系統(tǒng)包括極向場支撐以及環(huán)向線圈繞組,所述極向場支撐上安裝有環(huán)向場線圈盒,底部上安裝有終端箱,且所述環(huán)向場磁體支撐系統(tǒng)上承接極向場支撐。
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