[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和用于制造其的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310148424.1
• 申請(qǐng)日: 2023-02-14
• 公開（公告）號(hào): CN116631967A
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安商熏;吳暻錫;李承憲;林俊赫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/48
• 分類號(hào): H01L23/48;H01L23/485;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 翟然

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一層間絕緣膜，其中包含多個(gè)孔隙；

第一線結(jié)構(gòu)，在所述第一層間絕緣膜中；

插入絕緣膜，沿著所述第一層間絕緣膜的上表面延伸并與所述第一層間絕緣膜接觸；

阻擋絕緣膜，與所述插入絕緣膜接觸并沿著所述插入絕緣膜的上表面和所述第一線結(jié)構(gòu)的上表面延伸；

第二層間絕緣膜，在所述阻擋絕緣膜上；以及

第二線結(jié)構(gòu)，在所述第二層間絕緣膜中并連接到所述第一線結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中

所述第一線結(jié)構(gòu)包括阻擋導(dǎo)電膜和在所述阻擋導(dǎo)電膜上的填充導(dǎo)電膜，以及

所述插入絕緣膜不沿著所述填充導(dǎo)電膜的上表面延伸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述插入絕緣膜包括硅氧化物、硅碳氧化物和硅氧碳氮化物中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述插入絕緣膜包括金屬。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中包括在所述插入絕緣膜中的所述金屬是鋁(Al)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中

所述第一線結(jié)構(gòu)包括阻擋導(dǎo)電膜和在所述阻擋導(dǎo)電膜上的填充導(dǎo)電膜，以及

所述阻擋絕緣膜與所述填充導(dǎo)電膜的上表面接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一線結(jié)構(gòu)包括阻擋導(dǎo)電膜、在所述阻擋導(dǎo)電膜上的填充導(dǎo)電膜和沿著所述填充導(dǎo)電膜的上表面延伸的覆蓋導(dǎo)電膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述多個(gè)孔隙中的至少一些的每個(gè)包含氮?dú)埩簟?/p>

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中

所述多個(gè)孔隙包括其中具有所述氮?dú)埩舻牡谝豢紫逗推渲袥]有所述氮?dú)埩舻牡诙紫叮约?/p>

所述第二孔隙比所述第一孔隙更靠近所述插入絕緣膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中

所述多個(gè)孔隙包括第一孔隙和第二孔隙，所述第二孔隙中的氮濃度低于所述第一孔隙中的氮濃度，以及

所述第二孔隙比所述第一孔隙更靠近所述插入絕緣膜。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中

所述阻擋絕緣膜包括硅氮化物和硅碳氮化物中的至少一種，以及

所述阻擋絕緣膜與所述第二層間絕緣膜接觸。

12.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一層間絕緣膜，其中包含多個(gè)孔隙；

在所述第一層間絕緣膜中的第一線結(jié)構(gòu)，所述第一線結(jié)構(gòu)包括布線和連接到所述布線的通路；

插入絕緣膜，在所述第一層間絕緣膜上并包括基于硅氧化物的材料；

阻擋絕緣膜，在所述插入絕緣膜上并包括基于硅氮化物的材料，所述阻擋絕緣膜覆蓋所述布線的上表面；

在所述阻擋絕緣膜上的第二層間絕緣膜；以及

第二線結(jié)構(gòu)，在所述第二層間絕緣膜中并連接到所述第一線結(jié)構(gòu)，

其中所述第一層間絕緣膜包括，

沿著所述第一層間絕緣膜的上表面延伸的第一受損區(qū)；以及

沿著所述布線的側(cè)壁延伸的第二受損區(qū)，以及

其中所述第二受損區(qū)的厚度大于所述第一受損區(qū)的厚度。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其中

所述第一線結(jié)構(gòu)包括阻擋導(dǎo)電膜和在所述阻擋導(dǎo)電膜上的填充導(dǎo)電膜，以及

所述插入絕緣膜不沿著所述填充導(dǎo)電膜的上表面延伸。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其中所述插入絕緣膜包括鋁(Al)。