[發(fā)明專利]振動器件以及振動器件的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310141365.5 | 申請日: | 2023-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN116633306A | 公開(公告)日: | 2023-08-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 藤井正寬;黑澤龍一 | 申請(專利權(quán))人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H03H9/10 | 分類號: | H03H9/10;H03H9/215;H03H9/02;H03H3/007 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 劉暢;徐丹 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 振動 器件 以及 制造 方法 | ||
振動器件以及振動器件的制造方法,抑制大型化并且具有優(yōu)異的氣體吸附性。振動器件具有:硅的基座,其具有處于正反關(guān)系的第一面和第二面;振動元件,其被配置于所述第一面;硅的蓋,其被配置于所述第一面?zhèn)龋哂信c所述第一面面對的第三面和朝所述第三面開口的有底的凹部,所述第三面與所述第一面接合;以及吸氣層,其被配置于所述凹部的底面,具有氣體吸附性,所述凹部的底面的表面粗糙度Ra大于所述第三面的表面粗糙度Ra。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及振動器件以及振動器件的制造方法。
背景技術(shù)
專利文獻(xiàn)1所記載的電子器件具有:將基體以及蓋體接合而成的封裝;以及被收納在封裝的腔室內(nèi)的音叉型石英片。另外,在蓋體的內(nèi)表面即面向腔室的面配置有具有氣體吸藏性的吸藏金屬膜即吸氣材料。根據(jù)這種結(jié)構(gòu),吸藏金屬膜對將基體以及蓋體進(jìn)行陽極接合時所產(chǎn)生的氣體或在內(nèi)部產(chǎn)生的氣體進(jìn)行吸附,從而能夠減小腔室內(nèi)的壓力變動,能夠使電子器件的特性長期穩(wěn)定。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2014-60699號公報
發(fā)明內(nèi)容
在此,為了提高吸藏金屬膜的氣體吸附能力,增大吸藏金屬膜的表面積是有效的。然而,隨著電子器件小型化,難以確保吸藏金屬膜的表面積較大,在專利文獻(xiàn)1所記載的電子器件中,難以發(fā)揮較高的氣體吸附能力。
本發(fā)明的振動器件的特征在于,具有:硅的基座,其具有處于正反關(guān)系的第一面和第二面;振動元件,其被配置于所述第一面;硅的蓋,其被配置于所述第一面?zhèn)龋哂信c所述第一面面對的第三面和朝所述第三面開口的有底的凹部,所述第三面與所述第一面接合;以及吸氣層,其被配置于所述凹部的底面,具有氣體吸附性,所述凹部的底面的表面粗糙度Ra比所述第三面的表面粗糙度Ra大。
本發(fā)明的振動器件的制造方法的特征在于,該振動器件具有:硅的基座,其具有處于正反關(guān)系的第一面和第二面;振動元件,其被配置于所述第一面;硅的蓋,其被配置于所述第一面?zhèn)龋哂信c所述第一面面對的第三面和朝所述第三面開口的有底的凹部,所述第三面與所述第一面接合;以及吸氣層,其被配置于所述凹部的底面,具有氣體吸附性,所述振動器件的制造方法包含如下工序:凹部形成工序,形成所述凹部,其中,所述凹部具有表面粗糙度Ra比所述第三面大的底面;吸氣層形成工序,在所述凹部的底面形成所述吸氣層;以及接合工序,將所述蓋的所述第三面與所述基座的所述第一面接合起來。
附圖說明
圖1是第一實(shí)施方式的振動器件的剖視圖。
圖2是示出振動器件具有的振動元件的俯視圖。
圖3是示出振動器件具有的蓋的凹部內(nèi)的立體圖。
圖4是蓋的局部放大剖視圖。
圖5是示出振動器件的制造工序的流程圖。
圖6是示出振動器件的制造方法的剖視圖。
圖7是示出振動器件的制造方法的剖視圖。
圖8是示出振動器件的制造方法的剖視圖。
圖9是示出振動器件的制造方法的剖視圖。
圖10是示出振動器件的制造方法的剖視圖。
圖11是示出振動器件的制造方法的剖視圖。
圖12是示出振動器件的制造方法的剖視圖。
圖13是示出振動器件的制造方法的剖視圖。
圖14是示出振動器件的制造方法的剖視圖。
圖15是示出振動器件的制造方法的剖視圖。
圖16是示出振動器件的制造方法的剖視圖。
圖17是示出振動器件的制造方法的剖視圖。
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