[發明專利]一種HJT電池及制備工藝

在審

• 申請號: 202310116259.1
• 申請日: 2023-02-15
• 公開（公告）號: CN116093169A
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 上官泉元;黃立根;徐冬冬
• 申請（專利權）人: 常州比太科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/20;H01L31/0747
• 代理公司: 上海雍灝知識產權代理事務所(普通合伙) 31368
• 代理人: 沈汶波

1.一種HJT電池，其特征在于，包括硅片基底、非晶硅薄膜、氧化硅、P型多晶硅；其中，

所述非晶硅薄膜設于所述硅片基底的一面；

所述氧化硅、P型多晶硅依次設于所述硅片基底的另一面；

所述非晶硅薄膜和所述P型多晶硅上分別依次設有透明導電膜和銀電極，使所述銀電極、透明導電膜、P型多晶硅、氧化硅、硅片基底、非晶硅薄膜、透明導電膜、銀電極依次相疊形成所述HJT電池。

2.根據權利要求1所述的HJT電池，其特征在于，還包括本征非晶硅薄膜，所述本征非晶硅薄膜與所述非晶硅薄膜依次設于所述硅片基底的一面，使所述銀電極、透明導電膜、P型多晶硅、氧化硅、硅片基底、本征非晶硅薄膜、非晶硅薄膜、透明導電膜、銀電極依次相疊形成所述HJT電池。

3.根據權利要求1所述的HJT電池，其特征在于，所述硅片基底的另一面上為起伏的絨面。

4.根據權利要求1所述的HJT電池，其特征在于，在所述硅片基底的上的所述銀電極中的銀漿為低溫銀漿。

5.一種HJT電池的制備工藝，其特征在于，包括步驟：

基于所述硅片基底的兩面分別進行清洗制絨，使所述硅片基底的兩面分別形成起伏的絨面；

制備氧化硅，并將所述氧化硅設于所述硅片基底的另一面；

在所述氧化硅上制作摻雜硼的微晶非晶混合Si薄膜形成所述P型多晶硅；

在所述硅片基底的一面上進行磷摻雜形成發射極和表面場，形成所述非晶硅薄膜；

在形成的所述P型多晶硅和非晶硅薄膜上分別設置所述透明導電膜；

分別在所述P型多晶硅和所述非晶硅薄膜上的所述透明導電膜上制備由所述銀電極制成的細柵線和主柵線。

6.根據權利要求5所述的制備工藝，其特征在于，還包括步驟：

在所述硅片基底的兩面上清洗后形成起伏的絨面后，對所述硅片基底的另一面的絨面進行拋光。

7.根據權利要求5所述的制備工藝，其特征在于，還包括步驟：

所述P型多晶硅設于所述氧化硅上后進行高溫退火。

8.根據權利要求5所述的制備工藝，其特征在于，在所述氧化硅上制作摻雜硼的微晶非晶混合Si薄膜形成所述P型多晶硅后，在所述硅片基底的一面設置所述本征非晶硅薄膜。

9.根據權利要求5所述的制備工藝，其特征在于，制備所述氧化硅時，通過化學鈍化降低Si基底與P+Poly-Si之間的界面態密度。